Design of drain for low off current in GaAsSb/InGaAs tunnel FETs

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Design of drain for low off current in GaAsSb/InGaAs tunnel FETs

著者

和文:	岩田真次郎, W. Lin, K. Fukuda, 宮本恭幸.
英文:	S. Iwata, W. Lin, K. Fukuda, Y. Miyamoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2015年9月29日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)

開催地

和文:
英文:	Sapporo