GRIN-SCH構造を有する1.3 µm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの静特性

論文・著書情報

タイトル

和文:	GRIN-SCH構造を有する1.3 µm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの静特性
英文:	Static Characteristics of 1.3 µm Wavelength npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser with GRIN-SCH

著者

和文:	吉冨翔一, 山中健太郎, 後藤優征, 藤本直, 西山伸彦, 荒井滋久.
英文:	Shoichi Yoshitomi, Kentarou Yamanaka, Yusei Goto, Nao Fujimoto, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
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巻, 号, ページ

出版年月

2018年3月

出版者

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会議名称

和文:	電子情報通信学会 2018年総合大会
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開催地

和文:	東京
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