Si上半導体薄膜DRレーザの低電流・高速動作化について

論文・著書情報

タイトル

和文:	Si上半導体薄膜DRレーザの低電流・高速動作化について
英文:

著者

和文:	中村なぎさ, 冨安高弘, 平谷拓生, 井上大輔, 瓜生達也, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久.
英文:	Nagisa Nakamura, Takahiro Tomiyasu, Takuo Hiratani, Daisuke Inoue, Tatsuya Uryu, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2018年1月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）
英文:

開催地

和文:
英文: