Resonant tunneling properties of single electron transistors with a novel double-gate geometry

論文・著書情報

タイトル

和文:	Resonant tunneling properties of single electron transistors with a novel double-gate geometry
英文:	Resonant tunneling properties of single electron transistors with a novel double-gate geometry

著者

和文:	Fujisawa, T., Tarucha, S., 藤澤利正.
英文:	Fujisawa, T., Tarucha, S., Toshimasa Fujisawa.

言語

English

掲載誌/書名

和文:	Applied Physics Letters
英文:	Applied Physics Letters

巻, 号, ページ

Vol. 68 No. 4 pp. 526-528

出版年月

1996年

出版者

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会議名称

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開催地

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