第一原理計算による層状 (AE = Ca, Sr, Ba)の電子構造と欠陥生成・キャリアドーピング機構の理論解析

論文・著書情報

タイトル

和文:	第一原理計算による層状 (AE = Ca, Sr, Ba)の電子構造と欠陥生成・キャリアドーピング機構の理論解析
英文:	第一原理計算による層状 (AE = Ca, Sr, Ba)の電子構造と欠陥生成・キャリアドーピング機構の理論解析

著者

和文:	ホシンイ, シャオチーウェン, 片瀬貴義, 井手啓介, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫.
英文:	ホシンイ, シャオチーウェン, 片瀬貴義, 井手啓介, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2018年11月9日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	薄膜材料デバイス研究会第15回研究集会
英文:	薄膜材料デバイス研究会第15回研究集会

開催地

和文:	京都
英文:	kyoto