Hole transport properties in physically defined silicon quantum dots operating at 25 K

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Hole transport properties in physically defined silicon quantum dots operating at 25 K

著者

和文:	島谷直樹, 山岡裕, R. Ishihara, A. Andreev, D. A. Williams, S. Oda, 小寺哲夫.
英文:	N. Shimatani, Y. Yamaoka, R. Ishihara, A. Andreev, D. A. Williams, S. Oda, T. Kodera.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2017年8月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	The 22nd International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS-22)

開催地

和文:
英文:	Pennsylvania