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論文・著書情報


タイトル
和文:高累積線量におけるMOSFETのゲートバイアス特性比較 
英文: 
著者
和文: 吉田僚一郎, 木村有佐, 安藤幹, 大島佑太, 鍋屋信介, 平川顕二, 岩瀬正幸, 小笠原宗博, 依田孝, 石原昇, 伊藤浩之.  
英文: Ryoichiro Yoshida, Arisa Kimura, Motoki Ando, Yuta Oshima, Shinsuke Nabeya, Kenji Hirakawa, Masayuki Iwase, Munehiro Ogasawara, Takashi Yoda, Noboru Ishihara, Hiroyuki Ito.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文: 
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巻, 号, ページ        
出版年月 2020年9月 
出版者
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会議名称
和文:第81回 応用物理学会秋季学術講演会 
英文: 
開催地
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