選択成長法を用いたGaN 系FinFET

論文・著書情報

タイトル

和文:	選択成長法を用いたGaN 系FinFET
英文:

著者

和文:	筒井一生, 濱田拓也, 高山研, 金相佑, 星井拓也, 角嶋邦之, 若林整, 高橋言緒, 井手利英, 清水三聡.
英文:	KAZUO TSUTSUI, Takuya Hamada, 高山研, Sangwoo Kim, Takuya Hoshii, Kuniyuki KAKUSHIMA, Hitoshi Wakabayashi, 高橋言緒, 井手利英, 清水三聡.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
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巻, 号, ページ

出版年月

2021年3月

出版者

和文:
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会議名称

和文:	電気学会電子デバイス研究会
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開催地

和文:
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