A simulation study on the transient leakage current analysis of a GaN epitaxial layer

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	A simulation study on the transient leakage current analysis of a GaN epitaxial layer

著者

和文:	西田宗史, 星井拓也, 若林整, 筒井一生, 角嶋邦之.
英文:	H. Nishida, T. Hoshii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Kakushima.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2020年10月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	Electrochemical Society (ECS) PRIME 2020

開催地

和文:
英文:	Hawaii