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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Dependence of total ionizing dose effect of nMOS transistors on the on/off duty ratio of a gate voltage 
著者
和文: 小笠原宗博, 吉田僚一郎, 大島佑太, 安藤幹, 木村有佐, 平川顕二, 岩瀬正幸, 鍋屋信介, 依田 孝, 石原昇, 伊藤浩之.  
英文: Munehiro Ogasawara, Ryoichiro Yoshida, Yuta Oshima, Motoki Ando, Arisa Kimura, Kenji Hirakawa, Masayuki Iwase, Shinsuke Nabeya, Takashi Yoda, Noboru Ishihara, Hiroyuki Ito.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文:Japanese Journal of Applied Physics 
巻, 号, ページ Vol. 60        104501-1
出版年月 2021年12月17日 
出版者
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会議名称
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開催地
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DOI https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac25cd

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