InAlN/AlN/GaN構造中2DEGにおける移動度のキャリア濃度依存性

論文・著書情報

タイトル

和文:	InAlN/AlN/GaN構造中2DEGにおける移動度のキャリア濃度依存性
英文:	Dependence of 2DEG mobility on carrier concentration in InAlN/AlN/GaN

著者

和文:	小森勇太, 星井拓也, 宮野清孝, 津久井雅之, 水島一郎, 依田孝, 角嶋邦之, 若林整, 筒井一生.
英文:	Yuta Komori, Takuya Hoshii, Kiyotaka Miyano, Masayuki Tsukui, Kuniyuki KAKUSHIMA, Hitoshi Wakabayashi, KAZUO TSUTSUI, Hitoshi Wakabayashi, KAZUO TSUTSUI.

言語

Japanese

掲載誌/書名

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巻, 号, ページ

出版年月

2021年9月11日

出版者

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会議名称

和文:	第69回応用物理学会春季学術講演会
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開催地

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