Room-temperature fabrication of ionic liquid gated Zn3N2 electric double layer transistors with non-degenerate channel electron density

論文・著書情報

タイトル

和文:	Room-temperature fabrication of ionic liquid gated Zn3N2 electric double layer transistors with non-degenerate channel electron density
英文:	Room-temperature fabrication of ionic liquid gated Zn3N2 electric double layer transistors with non-degenerate channel electron density

著者

和文:	Kaiwen Li, Kota Hanzawa, Keisuke Ide, Kosuke Matsuzaki, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Zhang Qun, Toshio Kamiya.
英文:	Kaiwen Li, Kota Hanzawa, Keisuke Ide, Kosuke Matsuzaki, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Zhang Qun, Toshio Kamiya.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2021年9月6日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2021)
英文:	2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2021)

開催地

和文:
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