Suppressing Hydrogen Diffusion and Enhancing Reliability of Short-Channel InGaZnO Thin Film Transistors by Bottom-Gate Oxide Engineering

論文・著書情報

タイトル

和文:	Suppressing Hydrogen Diffusion and Enhancing Reliability of Short-Channel InGaZnO Thin Film Transistors by Bottom-Gate Oxide Engineering
英文:

著者

和文:	K. Zhou, Keisuke Ide, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya, B. Huang, P. Yen, T. Chang, S. M. Sze.
英文:	K. Zhou, Keisuke Ide, Takayoshi Katase, TOSHIO KAMIYA, B. Huang, P. Yen, T. Chang, S. M. Sze.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2022年11月17日

出版者

和文:
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会議名称

和文:	薄膜材料デバイス研究会第19回研究集会「新半導体材料・デバイス：SDGs実現へ向けて」
英文:

開催地

和文:	京都
英文: