MBE growth mode and C incorporation of GeC epilayers on Si(001) substrates using an arc plasma gun as a novel C source

論文・著書情報

タイトル

和文:	MBE growth mode and C incorporation of GeC epilayers on Si(001) substrates using an arc plasma gun as a novel C source
英文:	MBE growth mode and C incorporation of GeC epilayers on Si(001) substrates using an arc plasma gun as a novel C source

著者

和文:	Okinaka, M, Hamana, Y, Tokuda, T, Ohta, J, Nunoshita, M, 德田崇.
英文:	Okinaka, M, Hamana, Y, Tokuda, T, Ohta, J, Nunoshita, M, Takashi Tokuda.

言語

English

掲載誌/書名

和文:	Journal of Crystal Growth
英文:	Journal of Crystal Growth

巻, 号, ページ

Vol. 249 No. 1-2 pp. 78-86

出版年月

2003年

出版者

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会議名称

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開催地

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