Substrate nitridation effect and low temperature growth of GaN on sapphire (0 0 0 1) by plasma-excited organometallic vapor-phase epitaxy

論文・著書情報

タイトル

和文:	Substrate nitridation effect and low temperature growth of GaN on sapphire (0 0 0 1) by plasma-excited organometallic vapor-phase epitaxy
英文:	Substrate nitridation effect and low temperature growth of GaN on sapphire (0 0 0 1) by plasma-excited organometallic vapor-phase epitaxy

著者

和文:	Tokuda, T, Wakahara, A, Noda, S, Sasaki, A, 德田崇.
英文:	Tokuda, T, Wakahara, A, Noda, S, Sasaki, A, Takashi Tokuda.

言語

English

掲載誌/書名

和文:	Journal of Crystal Growth
英文:	Journal of Crystal Growth

巻, 号, ページ

Vol. 183 No. 1-2 pp. 62-68

出版年月

1998年

出版者

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会議名称

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開催地

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