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論文・著書情報


タイトル
和文:InGaZnO4 型ホモロガス酸化物における高移動度半導体の設計 
英文: 
著者
和文: 鈴木朝也, 井手啓介, 片瀬貴義, 細野秀雄, 神谷利夫.  
英文: Tomoya Suzuki, Keisuke Ide, Takayoshi Katase, HIDEO HOSONO, TOSHIO KAMIYA.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2023年11月 
出版者
和文: 
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会議名称
和文:薄膜材料デバイス研究会第20回研究集会「薄膜材料デバイス研究会が見据える次世代技術・未来デバイス」 
英文: 
開催地
和文: 
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