Growth of MoS2–Nb-doped MoS2 lateral homojunctions: A monolayer p–n diode by substitutional doping

論文・著書情報

タイトル

和文:	Growth of MoS2–Nb-doped MoS2 lateral homojunctions: A monolayer p–n diode by substitutional doping
英文:	Growth of MoS2–Nb-doped MoS2 lateral homojunctions: A monolayer p–n diode by substitutional doping

著者

和文:	Mitsuhiro Okada, Naoka Nagamura, Tarojiro Matsumura, 安藤康伸, Anh Khoa Augustin Lu, Naoya Okada, Wen-Hsin Chang, Takeshi Nakanishi, Tetsuo Shimizu, Toshitaka Kubo, Toshifumi Irisawa, Takatoshi Yamada.
英文:	Mitsuhiro Okada, Naoka Nagamura, Tarojiro Matsumura, Yasunobu Ando, Anh Khoa Augustin Lu, Naoya Okada, Wen-Hsin Chang, Takeshi Nakanishi, Tetsuo Shimizu, Toshitaka Kubo, Toshifumi Irisawa, Takatoshi Yamada.

言語

English

掲載誌/書名

和文:	APL Materials
英文:	APL Materials

巻, 号, ページ

出版年月

2021年12月1日

出版者

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会議名称

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開催地

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