Electric field modulation in the channel by lateral thickness distribution of high-k films formed on GaN HEMTs to improve breakdown voltage

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Electric field modulation in the channel by lateral thickness distribution of high-k films formed on GaN HEMTs to improve breakdown voltage

著者

和文:	宮本恭幸, 牧山剛三.
英文:	Y. Miyamoto, K. Makiyama.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	IEEE Trans Electon. Dev.

巻, 号, ページ

vol. 70 no. 5 pp. 2210-2215

出版年月

2023年3月15日

出版者

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会議名称

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開催地

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