国際会議発表 (査読なし・不明)

• Kazuki Koreishi, Kohei Yoshimatsu, Akira Ohtomo. Quaternary ultrawide-bandgap oxide semiconductor alloy: AlScGaO, iWOE32, Sept. 2026.
• Kazuki Koreishi, Kodai Niitsu, Takuto Soma, Kohei Yoshimatsu, Akira Ohtomo. Quaternary (AlxScyGa1−x−y)2O3 for Lattice-Matched β-Ga2O3 Heterostructures, International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-6), Aug. 2026.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 是石 和樹, 相馬 拓人, 吉松 公平, 大友 明. PLD法により成長したβ-Ga2O3ホモエピタキシャル薄膜の電気特性, 第86回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2026.
• 是石 和樹, 吉松 公平, 大友 明. β -Ga O (100)微傾斜基板上に成長したSiドープAlScGaO薄膜の電気特性, 第87回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2026.
• 是石 和樹, 吉松 公平, 大友 明. オフ基板を用いた双晶フリー(100)配向β-Ga2O3薄膜のホモエピタキシャル成長, 第73回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2026.

特許など

• 大友明, 相馬拓人, 是石和樹, 社外発明者. 酸化ガリウム系半導体の製造方法. 特許. 登録. 国立大学法人東京科学大学, トヨタ自動車株式会社. 2022/08/25. 特願2022-134426. 2024/03/07. 特開2024-031100. 特許第7856527号. 2026/04/27 2026.

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