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金澤徹 研究者情報

金澤  Kanazawa 
徹  Toru 
状態 本学を転出・卒業
専門分野 電子デバイス・電子機器 (電子デバイス・電子機器)
学位論文 Si(100)基板上CaF2/CdF2ヘテロ構造を用いた共鳴トンネル集積デバイスの基礎研究,  本文,  Doctor of Engineering,  Tokyo Institute of Technology,  2007/03/--, 

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