論文

• Mitsuru Nakata, Kazushige Takechi, Toshimasa Eguchi, Eisuke Tokumitsu, Hirotaka Yamaguchi, Setsuo Kaneko. Effects of thermal annealing on ZnO-TFT characteristics and the application of excimer laser annealing to plastic-based ZnO-TFTs, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 48, No. 8, pp. 081608 1-7, Aug. 2009.
• Mitsuru Nakata, Kazushige Takechi, Eisuke Tokumitsu, Hirotaka Yamaguchi, Setsuo Kaneko. Flexible high-performance amorphous InGaZnO4-TFTs utilizing excimer laser annealing, Jpn. J. Appl. Phys, Vol. 48, No. 8, pp. 081607 1-7, Aug. 2009.
• Mitsuru Nakata, Kazushige Takechi, Kazufumi Azuma, Eisuke Tokumitsu, Hirotaka Yamaguchi, Setsuo Kaneko. Improvement of InGaZnO4 Thin Film Transistors Characteristics Utilizing Excimer Laser Annealing, Applied Physics Express 2, 2009 The Japan Society of Applied Physics, pp. 021102-1~3, Feb. 2009.

国際会議発表 (査読有り)

• Mitsuru Nakata, Kazushige Takechi, Shinya Yamaguchi, Eisuke Tokumitsu, Hiroshi Tanabe, Setsuo Kaneko. Low-Temperature Fabrication of Amorphous InGaZnO4 Thin-Film Transistors Utilizing Excimer, LaserInternational Workshop on Transparent Amorphous Oxide Semiconductors(TAOS 2010), Jan. 2010.
• Tomohiro Oiwa, Youhei Kondo, Mitsuru Nakata, Eisuke Tokumitsu. Fabrication of IGZO Channel Thin Film Transistor with BZN Gate Insulator, 2008 Fall Meeting, Materials Research Society, Paper. B10.3, Dec. 2008.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 中田充, 竹知和重, 東和文, 徳光永輔, 山口弘高, 金子節夫. エキシマレーザを用いたプラスチック基板上ZnO TFT特性の改善, 第５６回 応用物理学関係連合会講演会, 第５６回 応用物理学関係連合会講演会, 31p-ZK-7, Mar. 2009.
• 中田充, 竹知和重, 東和文, 徳光永輔, 山口弘高, 金子節夫. エキシマレーザを用いたプラスチック基板上a-inGaZnO4 TFT特性の改善, 第５６回 応用物理学関係連合会講演会, 第５６回 応用物理学関係連合会講演会, 31p-ZK-8, Mar. 2009.
• 大岩朝洋, 近藤洋平, 中田充, 徳光永輔. 強誘電体・高誘電率材料をゲート絶縁膜に用いたIGZOチャネル薄膜トランジスタの作製と評価, 第69回応用物理学会学術講演会, 2008年秋季 第69回応用物理学会学術講演会 講演予稿集, 3a-K-9, Sept. 2008.

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