論文

• K. Hotta, Y. Tomizuka, K. Itagaki, I. Makabe, S. Yoshida, Y. Miyamoto. Annealing temperature dependence of alloy contact for N-polar GaN HEMT structure, Jpn. J. Appl. Phys, 58, (2019), SC, SCCD14, May 2019.

国際会議発表 (査読有り)

• A. Hayasaka, R. Aonuma, K. Hotta, I. Makabe, S. Yoshida, Y. Miyamoto. N-polar GaN HEMT with Al2O3 gate insulator, Compound Semiconductor Week 2019, MoP-G-8 (Poster), May 2019.
• K. Hotta, Y. Tomizuka, K. Itagaki, I. Makabe, S. Yoshida, Y. Miyamoto. Annealing temperature dependence of alloy contact for N-polar GaN HEMT structure, International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018), Nov. 2018.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 早坂 明泰, 青沼 遼介, 堀田 航史, 金井 七重, 眞壁 勇夫, 吉田 成輝, 宮本 恭幸. N極性GaN HEMT作製プロセスにおけるプラズマダメージの低減, 第80回 応用物理学会 秋季学術講演会, 18p-N302-11, Sept. 2019.
• 早坂 明泰, 青沼 遼介, 堀田 航史, 眞壁 勇夫, 吉田 成輝, 宮本 恭幸. Al2O3ゲート絶縁膜を持つN極性GaN HEMT, 第66回応用物理学会春季学術講演会, 9p-M121-13, Mar. 2019.
• 堀田 航史, 富塚 ゆみ子, 板垣 光祐, 眞壁 勇夫, 吉田 成輝, 宮本 恭幸. N極性GaN HEMT構造のコンタクト抵抗の熱処理温度依存性, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 20p-331-10, Sept. 2018.

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