論文

• T. Haga, Y. Matsuura, Y. Fujimoto, S. Saito. Electronic states and modulation doping of hexagonal boron nitride trilayers, Physical Review Materials, Vol. 5, 094003, Sept. 2021.
• M. Onodera, M. Isayama, S. Masubuchi, R. Moriya, T. Haga, Y. Fujimoto, S. Saito, T. Machida. Carbon annealed HPHT-hexagonal boron nitride: Exploring defect levels using 2D materials combined through van der Waals interface, Carbon, Vol. 167, No. 15, pp. 785-791, Oct. 2020.
• Taishi Haga, Yoshitaka Fujimoto, Susumu Saito. Electronic structure and scanning tunneling microscopy images of heterostructures consisting of graphene and carbon-doped hexagonal boron nitride layers, Physical Review B, 100, 125403, Sept. 2019.
• Taishi Haga, Yoshitaka Fujimoto, Susumu Saito. STM visualization of carbon impurities in sandwich structures consisting of hexagonal boron nitride and graphene, Japanese Journal of Applied Physics, 58, SIIB03, June 2019.

国際会議発表 (査読有り)

• T. Haga, Y. Matsuura, Y. Fujimoto, S. Saito. Modulation doping of hexagonal boron nitride trilayers, 21 American Physical Society March Meeting, Mar. 2021.
• T. Haga, K. H. Bevan, S. Saito. First-principles study of impurity-induced states in h-BN monolaye using hybrid functional, Indian Institute of Technology Guwahati and Tokyo Institute of Technology Second Joint Workshop on Condensed Matter and High Energy Physics, Dec. 2020.
• Yoshitaka Fujimoto, Yuuto Matsuura, Taishi Haga, Susumu Saito. First-Principles Electronic-Structure Study of Doped Graphene, Doped hexagonal Boron Nitride Layers, and their Heterostructures, 9th A3 Symposium on Emerging Materials: Nanomaterials for Energy and Electronics, Oct. 2018.
• S. Saito, T. Haga, Y. Fujimoto. Quantum dots and other nanostructures, APS March Meeting 2018, Mar. 2018.

国内会議発表 (査読有り)

• Taishi Haga, Yuan Shuaishuai, Kirk H. Bevan, Susumu Saito. First-principles study of impurity-induced states in h-BN monolayer using hybrid functional, MRM2021 Materials Research Meeting, Dec. 2021.
• K. H. Bevan, T. Haga, S. Yuan, S. Saito. First-principles study of impurity states induced by a carbon or oxygen atom in h-BN monolayer, 第６０回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム, Mar. 2021.
• 齋藤晋, 芳賀太史. Hybrid汎関数を用いたh-BN原子膜における不純物状態の研究, 日本物理学会2020年秋季大会, Sept. 2020.
• Taishi Haga, Yoshitaka Fujimoto, Susumu Saito. First-principles electronic-structure study of stabilities and electronic properties of trilayer h-BN, 第58回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム, Mar. 2020.
• Hiroki Yamashita, Taishi Haga, Yoshitaka Fujimoto, Susumu Saito. New Method for First-principles Electronic-structure Study of Impurity Induced States and its Application to Diamond and Cubic BN, MATERIALS RESEARCH MEETING 2019, Dec. 2019.
• 齋藤晋, 山下寛樹, 芳賀太史, 藤本義隆. 密度汎関数理論に基づく不純物状態の新たな高精度計算手法とダイヤモンドおよび立方晶窒化ホウ素に対する応用, 第３３回ダイヤモンドシンポジウムプログラム, Nov. 2019.
• 齋藤晋, 芳賀太史, 藤本義隆. h-BN膜におけるドナーとアクセプターのイオン化エネルギーの高精度推定, 第３３回ダイヤモンドシンポジウムプログラム, Nov. 2019.
• 齋藤晋, 芳賀 太史, 松浦 雄⽃, 藤本 義隆. 複数層h-BN原⼦膜における電⼦構造と不純物状態, 日本物理学会2019年秋季大会, Sept. 2019.
• 齋藤晋, 藤本義隆, 山下寛樹, 芳賀太史. 半導体中の不純物状態の新たな定量的予測方法, 日本物理学会第74回年次大会, Mar. 2019.
• 齋藤晋, 山下 寛樹, 芳賀 太史, 藤本 義隆. 第一原理電子構造研究による立方晶窒化ホウ素とダイヤモンドの不純物状態の予測, 第６６回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2019.
• Taishi Haga, Yoshitaka Fujimoto, Susumu Saito. STM images of graphene/C-doped h-BN heterostructures from first-principles electronic-structure calculations, 第５６回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム, Mar. 2019.
• 齋藤晋, 山下寛樹, 芳賀太史, 藤本義隆. "第一原理電子構造研究による立方晶窒化ホウ素とダイヤモンドの不純物 状態の解明, 32回 ダイヤモンドシンポジウムプログラム, Nov. 2018.
• Taishi Haga, Yoshitaka Fujimoto, Susumu Saito. Effects of carbon impurity-induced states in h-BN substrate on the electronic properties of graphene, 9th A3 Symposium on Emerging Materials: Nanomaterials for Energy and Electronics, Oct. 2018.
• T. Haga, Y. Fujimoto, S. Saito. STM visualization of carbon impurities in h-BN substrate by graphene, ACSIN-14 & ICSPM26, Oct. 2018.
• 齋藤晋, 芳賀太史, 藤本義隆. ドナーとアクセプターが共存する複数ドープBN膜の電子物性, 日本物理学会 2018年秋季大会, Sept. 2018.
• 芳賀 太史, 藤本 義隆, 齋藤 晋. Cドープされたh-BN膜とグラフェンからなる複合原子膜の電子物性, 日本物理学会 2017年秋季大会, Sept. 2017.
• 齋藤晋, 藤本義隆, 芳賀太史. CドープされたBNナノチューブの電子構造と不純物状態, 日本物理学会 2017年秋季大会, Sept. 2017.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 中山 亮, 清水 亮太, 芳賀 太史, 木村 武史, 安藤 康伸, 安尾 信明, 関嶋 政和, 一杉 太郎. 物質合成に適したベイズ最適化のハイパーパラメータの探索, 第68回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2021.

学位論文

• Electronic Properties and Impurity-Induced States of Hexagonal Boron Nitride Layers: A First-Principles Study,  Summary,  Doctor (Science),  Tokyo Institute of Technology,  2022/03/26,   
• Electronic Properties and Impurity-Induced States of Hexagonal Boron Nitride Layers: A First-Principles Study,  Outline,  Doctor (Science),  Tokyo Institute of Technology,  2022/03/26,   
• Electronic Properties and Impurity-Induced States of Hexagonal Boron Nitride Layers: A First-Principles Study,  Thesis,  Doctor (Science),  Tokyo Institute of Technology,  2022/03/26, 
• Electronic Properties and Impurity-Induced States of Hexagonal Boron Nitride Layers: A First-Principles Study,  Exam Summary,  Doctor (Science),  Tokyo Institute of Technology,  2022/03/26,   

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