国際会議発表 (査読有り)

• K. Sasaki, J. Song, T. Hoshii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, I. Mizushima, T. Yoda, K. Kakushima. Minority Carrier Lifetime Measurement for SiC Epitaxial Layer, The 5th Meeting on Advanced Power Semiconductors, Nov. 2018.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 佐々木 杏民, 星井 拓也, 宗田 伊理也, 若林 整, 筒井 一生, 角嶋 邦之. n型SiCのエピタキシャル層の正孔ライフタイムがpnダイオード特性に与える影響, Sept. 2018.

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