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梶川亮介 研究業績一覧 (7件)
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論文
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Takamasa Kawanago,
Ryosuke Kajikawa,
Kazuto Mizutani,
Sung-Lin Tsai,
Iriya Muneta,
Takuya Hoshii,
Kuniyuki Kakushima,
Kazuo Tsutsui,
Hitoshi Wakabayashi.
Doping-Free Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Inverter Based on N-Type and P-Type Tungsten Diselenide Field-Effect Transistors With Aluminum-Scandium Alloy and Tungsten Oxide for Source/Drain Contact,
IEEE Journal of the Electron Devices Society,
IEEE,
Vol. 11,
p. 15-21,
Nov. 2022.
公式リンク
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Takamasa KAWANAGO,
Takahiro Matsuzaki,
Ryosuke Kajikawa,
Iriya Muneta,
Takuya HOSHII,
Kuniyuki Kakushima,
Kazuo TSUTSUI,
Hitoshi WAKABAYASHI.
Experimental demonstration of high-gain CMOS Inverter operation at low Vdd down to 0.5 V consisting of WSe2 n/p FETs,
Japanese Journal of Applied Physics (JJAP),
Vol. 61,
Feb. 2022.
国際会議発表 (査読有り)
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Ryosuke Kajikawa,
Takamasa Kawanago,
Iriya Muneta,
Takuya Hoshii,
Kuniyuki Kakushima,
Kazuo Tsutsui,
Hitoshi Wakabayashi.
Self-Aligned WOx S/D Contacts to Gate Stacks with TiOx Nucleation Layer by Multiple-Deposition Method in WSe2 pFETs,
International Conference on Solid State Devices and Materials,
Sept. 2023.
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Takamasa Kawanago,
Takahiro Matsuzaki,
Ryosuke Kajikawa,
Iriya Muneta,
Takuya Hoshii,
Kuniyuki Kakushima,
Kazuo Tsutsui,
Hitoshi Wakabayashi.
Experimental Demonstration of High-Gain CMOS Inverter at Low Vdd Down to 0.5 V Consisting of WSe2 n/p FETs,
International Conference on Solid State Devices and Materials,
Sept. 2021.
国内会議発表 (査読なし・不明)
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今井 慎也,
梶川 亮介,
川那子 高暢,
宗田 伊理也,
角嶋 邦之,
辰巳 哲也,
冨谷 茂隆,
筒井 一生,
若林 整.
スパッタMoS2膜に対するエッジ金属コンタクトの電流電圧特性,
第84回応用物理学会秋季学術講演会,
Sept. 2023.
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梶川 亮介,
川那子 高暢,
宗田 伊理也,
星井 拓也,
角嶋 邦之,
筒井 一生,
若林 整.
トップゲートに自己整合したWOx S/Dを用いた30-50 nm膜厚WSe2バックチャネルpFET,
第84回応用物理学会秋季学術講演会,
Sept. 2023.
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川那子 高暢,
梶川 亮介,
水谷 一翔,
Tsai Sung Lin,
宗田 伊理也,
星井 拓也,
角嶋 邦之,
筒井 一生,
若林 整.
アルミニウムスカンジウム合金(AlSc)と酸化タングステン(WOx)をソース/ドレイン電極に用いたWSe2 n/p FETとCMOSインバータ応用,
第83回応用物理学会秋季学術講演会,
Sept. 2022.
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