論文

• 岡本昌二, 堀口剛司, 冨永真志, 西村正, 藤田英明, 赤木泰文, 木ノ内伸一, 大井健史. IGBT 物理モデルの負荷短絡保護回路への適用, 電気学会論文誌D, 電気学会, vol. 134, no. 10, pp. 853-862, Oct. 2014.
• 堀口 剛司, 塚本 剛平, 冨永 真志, 西村 正, 藤田 英明, 赤木 泰文, 木ノ内 伸一, 大井 健史, 小山 正人. 物理モデルに基づく並列接続IGBT のPWM連続動作時における接合温度解, 電気学会論文誌D, 電気学会, vol. 134, no. 5, pp. 486-495, May 2014.
• J.Hasegawa, K.Konishi, Y.Nakamura, K.Otsuka, S.Nakata, Y. Nakamine, T. Nishimura, M. Hatano. Investigation of Stacking Faults Affecting on Reverse Leakage Current of 4H-SiC Junction Barrier Schottky Diodes Using Device Simulation, Materials Science Forum, Vol. 828, pp. 778-780, Feb. 2014.

国際会議発表 (査読有り)

• Junichi Hasegawa, Munetaka Noguchi, Masayuki Furuhashi, Shuhei Nakata, Takayuki Iwasaki, Tetsuo Kodera, Tadashi Nishimura, Mutsuko Hatano. Measurement of the SiO2/SiC interface state density in a wid energy-level range using capacitance transient spectroscopy, 16th ICSCRM2015, Oct. 2015.
• J. Hasegawa, K.Konishi, Y.Nakamura, K.Otsuka, Y.Nakamine, T.Nishimura, M.Hatano. Investigation of Stacking Faults Affecting on Reverse Leakage Current of 4H-SiC Junction Barrier Schottky Diodes Using Device Simulation, ICSCRM2013, Oct. 2013.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 二宮大, 西村正, 藤田英明, 赤木泰文. 高精度な電力変換回路設計用のSiC-MOSFET回路シミュレーションモデルの開発, 半導体電力変換研究会, 電気学会研究会資料, 電気学会, no. SPC-15-007, Jan. 2015.
• 岡本昌二, 冨永真志, 西村正, 藤田英明, 赤木泰文, 堀口剛司, 木ノ内伸一, 大井健史. IGBT物理モデルによる短絡時のスイッチング動作解析, 産業応用部門大会, 電気学会 産業応用部門大会, 電気学会, Vol. 1, no. 87, pp. 363-366, Aug. 2013.
• 塚本剛平, 冨永真志, 西村 正, 藤田英明, 赤木泰文. 物​理​モ​デ​ル​に​基​づ​く​I​G​B​T​並​列​駆​動​時​に​お​け​る​接​合​温​度​解​析​, 産業応用部門大会, 電気学会 産業応用部門大会, 電気学会, Vol. 1, no. 34, Aug. 2012.

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