論文

• Yuichiro Hanyu, Kay Domen, Kenji Nomura, Hidenori Hiramatsu, Hideya Kumomi, Hideo Hosono, Toshio Kamiya. Hydrogen passivation of electron trap in amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors, Appl. Phys. Lett., Vol. 103, No. 20, pp. 202114-1 - 3, Nov. 2013.
• Hiromichi Ohta, Taku Mizuno, Shijian Zheng, Takeharu Kato, Yuichi Ikuhara, Katsumi Abe, Hideya Kumomi, Kenji Nomura, Hideo Hosono. Unusually Large Enhancement of Thermopower in an Electric Field InducedTwo-Dimensional Electron Gas, Advanced. Materials, Vol. 24, pp. 740-744, 2012.
• Katsumi Abe, Kenji Takahashi, Ayumu Sato, Hideya Kumomi, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Hideo Hosono. Operation model with carrier-density dependent mobility for amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors, Thin Solid Films, Vol. 520, pp. 3791-3795, 2012.

著書

• 井手啓介, 片瀬貴義, 野村研二, 雲見日出也, 細野秀雄, 神谷利夫. アモルファス酸化物半導体：In－Ga－Zn－O, 21世紀版薄膜作製応用ハンドブック 4編 2章 光部品 7節 透明導電膜, June 2019.

国際会議発表 (査読有り)

• K. Abe, H. Kumomi, T. Kamiya, H. Hosono. Modeling of Transparent Amorphous Oxide Semiconductor Thin-Film Transistor, Proc. IDW'13, p. 311, Dec. 2013.
• TOSHIO KAMIYA, K. Kimoto, N. Ohashi, Katsumi Abe, Yuichirou Hanyu, hideya kumomi, HIDEO HOSONO. Electron-Beam-Induced Crystallization of Amorphous In-Ga-Zn-O Thin Films Fabricated by UHV Sputtering, Proc. IDW'13, p. 280, Dec. 2013.
• T. Kamiya, K. Ide, K. Nomura, H. Kumomi, H. Hosono. Structural Relaxation, Crystallization, and Defect Passivation in Amorphous In-Ga-Zn-O, Proc. IDW'13, p. 478, Dec. 2013.

その他の論文・著書など

• 神谷利夫, 雲見日出也, 細野秀雄. 省電力技術としてのアモルファス酸化物半導体, J. Soc. Inorg. Mater. Jpn., Vol. 21, pp. 389-394, 2014.
• 神谷利夫, 雲見日出也, 細野秀雄. 酸化物半導体TFTの研究動向と課題; 月間ディスプレイ10月号, 1-8,, 月間ディスプレイ, Vol. 10月号, pp. 1-8, 2013.
• 神谷利夫, 雲見日出也, 細野秀雄:. アモルファス酸化物半導体薄膜; 表面技術 (2013年7月号), Vol. 64, pp. 392-395, 2013.

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