国際会議発表 (査読なし・不明)

• Jiangning Chen, 鹿 国強, Kuniyuki KAKUSHIMA, パールハットアヘメト, 片岡好則, 西山彰, Nobuyuki Sugii, KAZUO TSUTSUI, Kenji Natori, takeo hattori, HIROSHI IWAI. Electrical characteristics of AlGaN/GaN HEMT with La-oxide gate dielectrics, Workshop and IEEE EDS Mini-colloquium on Nanometer CMOS Technology (WIMNACT 37), 2013.
• Jiangning Chen, 鹿 国強, Kuniyuki KAKUSHIMA, パールハットアヘメト, 片岡好則, 西山彰, Nobuyuki Sugii, KAZUO TSUTSUI, Kenji Natori, takeo hattori, HIROSHI IWAI. Electrical characteristics of AlGaN/GaN HEMT with La-oxide gate dielectrics, Workshop and IEEE EDS Mini-colloquium on Nanometer CMOS Technology (WIMNACT 37), 2013.
• Jiangning Chen, 鹿 国強, Kuniyuki KAKUSHIMA, パールハットアヘメト, 片岡好則, 西山彰, Nobuyuki Sugii, KAZUO TSUTSUI, Kenji Natori, takeo hattori, HIROSHI IWAI. Electrical characteristics of AlGaN/GaN HEMT with La-oxide gate dielectrics, Workshop and IEEE EDS Mini-colloquium on Nanometer CMOS Technology (WIMNACT 37), 2013.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 鹿国強, 大嶺洋, ｻﾞﾃﾞﾊｻﾝ ﾀﾞﾘﾕｰｼﾕ, 角嶋邦之, 西山彰, 杉井信之, 片岡好則, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋. ALD堆積条件によるLa2O３/In0.53Ga0.47Asキャパシタの電気特性への影響, 第74回応用物理学会秋季学術講演会, 2013.

[ BibTeX 形式で保存 ]    [ 論文・著書をCSV形式で保存 ]    [ 特許をCSV形式で保存 ]