論文

• Shoichi Yoshitomi, Kentarou Yamanaka, Yusei Goto, Yuta Yokomura, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Continuous-wave operation of a 1.3 μm wavelength npn AlGaInAs/InP transistor laser up to 90 °C, Japanese Journal of Applied Physics, Japanese Applied Physics Society, Vol. 59, Number 4, p. 042003, Apr. 2020.

国際会議発表 (査読有り)

• Yusei Goto, Shoichi Yoshitomi, Kentarou Yamanaka, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Optical-Response Analysis of Voltage-Modulated 1.3 μm Wavelength AlGaInAs/InP Transistor Laser, Oct. 2018.
• Shoichi Yoshitomi, Kentarou Yamanaka, Yusei Goto, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. 90 ℃ CW operation of 1.3-µm wavelength npn-AlGaInAs/InP transistor lasers by thick and wide base-electrode, 26th International Semiconductor Laser Conference (ISLC 2018), No. MC2, Sept. 2018.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• Shoichi Yoshitomi, Kentarou Yamanaka, Yusei Goto, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Continuous wave operation up to 90°C of npn-AlGaInAs/InP transistor laser, Photonic Device Workshop, 電子情報通信学会, Dec. 2018.
• 吉冨翔一, 山中健太郎, 後藤優征, 西山伸彦, 荒井滋久. 1.3 µm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの高温連続動作, 2018年電子情報通信学会ソサイエティ大会, Sept. 2018.
• 後藤優征, 吉冨翔一, 山中健太郎, 西山伸彦, 荒井滋久. キャリア変動による利得特性変化を考慮した電圧変調 1.3 μm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの大信号解析, Sept. 2018.
• 吉冨翔一, 山中健太郎, 後藤優征, 藤本直, 西山伸彦, 荒井滋久. GRIN-SCH構造を有する1.3 µm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの静特性, 電子情報通信学会 2018年総合大会, Mar. 2018.
• 後藤優征, 山中健太郎, 吉冨翔一, 西山伸彦, 荒井滋久. 1.3-µm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザにおける 電気的応答を考慮した大信号特性の解析, 第65回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2018.

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