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中辻寛 2020年 研究業績一覧 (10件 / 217件)
論文
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K. Sugawara,
I. Seo,
S. Yamazaki,
K. Nakatsuji,
Y. Gohda,
H. Hirayama.
Effective quantum-well width of confined electrons in ultrathin Ag(111) films on Si(111)7x7 substrates,
Surface Science,
Vol. 704,
p. 121745 (6 pages),
Oct. 2020.
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H. Imamura,
A. Visikovskiy,
R. Uotani,
T. Kajiwara,
H. Ando,
T. Iimori,
K. Iwata,
T. Miyamachi,
K. Nakatsuji,
K. Mase,
T. Shirasawa,
F. Komori,
S. Tanaka.
Twisted bilayer graphene fabricated by direct bonding in a high vacuum,
Applied Physics Express,
Volume 13,
Issue 7,
pp. 075004,
July 2020.
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Kentaro Nagase,
Ryota Ushioda,
Kan Nakatsuji,
Tetsuroh Shirasawa,
Hiroyuki Hirayama.
Growth of extremely flat Bi(110) films on a Si(111)√3 × √3-B substrate,
Applied Physics Express,
Vol. 13,
p. 085506 (4 pages),
July 2020.
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T. Ogino,
V. M. Kuzumo,
S. Yamazaki,
K. Nakatsuji,
H. Hirayama.
Variation of the metal-insulator transition temperature of quasi-one-dimensional indium chains upon carrier doping from Si(111) substrates,
J. Phys.: Condens. Matter,
Vol. 32,
p. 415001 (8pp),
July 2020.
国際会議発表 (査読なし・不明)
国内会議発表 (査読なし・不明)
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金野達,
勝俣錬,
木村彰博,
中村玲雄,
諸貫亮太,
山崎詩郎,
小澤健一,
間瀬一彦,
飯盛拓嗣,
小森文夫,
平山博之,
中辻寛.
Si(110)3×2-Bi表面の電子状態,
2020年日本表面真空学会学術講演会,
Nov. 2020.
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飯盛拓嗣,
今村均,
魚谷亮介,
宮町俊生,
服部琢磨,
中辻寛,
北村未歩,
堀場弘司,
間瀬一彦,
梶原隆司,
Visikovskiy Anton,
田中悟,
小森文夫.
SiC(0001)上のツイストグラフェンの電子状態のツイスト角度依存性,
日本物理学会 2020年秋季大会,
Sept. 2020.
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白澤徹郎,
Wolfgang Voegeli,
荒川悦雄,
高橋敏男,
潮田亮太,
中辻寛,
平山博之.
変形黒鱗構造Bi超薄膜の原子スケール成長機構解析,
日本物理学会2020年秋季大会,
Sept. 2020.
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潮田亮太,
長瀬謙太郎,
荻野嵩大,
車尾ヴァレンティン基,
中辻 寛,
白澤 徹郎,
平山 博之.
Si(111)7×7 基板上における奇数層高さBi(110)島の出現,
日本物理学会第75回年次大会,
Mar. 2020.
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金野達,
勝俣錬,
木村彰博,
中村玲雄,
山崎詩郎,
小澤健一,
間瀬一彦,
飯盛拓嗣,
小森文夫,
平山博之,
中辻寛.
Si(110)3x2-Bi表面の電子状態,
日本物理学会第75回年次大会,
Mar. 2020.
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