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福田浩一 2016年 研究業績一覧 (4件 / 11件)
論文
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Wenbo Lin,
Shinjiro Iwata,
Koichi Fukuda,
Yasuyuki Miyamoto.
Scaling limit for InGaAs/GaAsSb heterojunction double-gate tunnel FETs from the viewpoint of direct band-to-band tunneling from source to drain induced off-characteristics deterioration,
Japanese Journal of Applied Physics,
Vol. 55,
No. 7,
pp. 070303,
June 2016.
公式リンク
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岩田 真次郎,
大橋 一水,
林 文博,
福田 浩一,
宮本 恭幸.
GaAsSb/InGaAsダブルゲートンネルFET におけるソースおよびドレイン不純物濃度依存性,
電気学会論文誌C,
Vol. 136,
no. 4,
pp. 467-473,
Apr. 2016.
国際会議発表 (査読有り)
国内会議発表 (査読なし・不明)
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