論文

• Wenbo Lin, Shinjiro Iwata, Koichi Fukuda, Yasuyuki Miyamoto. Scaling limit for InGaAs/GaAsSb heterojunction double-gate tunnel FETs from the viewpoint of direct band-to-band tunneling from source to drain induced off-characteristics deterioration, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 55, No. 7, pp. 070303, June 2016.  公式リンク  
  
• 岩田 真次郎, 大橋 一水, 林 文博, 福田 浩一, 宮本 恭幸. GaAsSb/InGaAsダブルゲートンネルFET におけるソースおよびドレイン不純物濃度依存性, 電気学会論文誌C, Vol. 136, no. 4, pp. 467-473, Apr. 2016.

国際会議発表 (査読有り)

• Y. Miyamoto, W. Lin, S.Iwata, K. Fukuda. Steep sub-threshold slope in short-channel InGaAs TFET (Invited), The 18th International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA-2016), A6-I-01, July 2016.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 林 文博, 岩田 真次郎, 福田 浩一, 宮本 恭幸. 短チャネルTFET におけるソース-ドレイン間直接トンネリングのオフ電流への寄与, 第63回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2016.  公式リンク  
  

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