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後藤高寛 2013年 研究業績一覧 (5件 / 62件)
論文
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後藤高寛,
藤川紗千恵,
藤代博記,
小倉睦郎,
安田哲二,
前田辰郎.
真空アニール法がAl2O3/GaSb MOS界面に与える影響,
電子情報通信学会技術研究報告 信学技報,
vol. 113,
no. 176,
pp. 37-42,
Aug. 2013.
国際会議発表 (査読有り)
国内会議発表 (査読なし・不明)
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後藤高寛,
藤川紗千恵,
藤代博記,
小倉睦郎,
安田哲二,
前田辰郎.
GaSbショットキー接合型メタルS/D pMOSFETsの動作実証,
第74回 応用物理学会秋季学術講演会,
Sept. 2013.
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後藤高寛,
藤川紗千恵,
藤代博記,
小倉睦郎,
安田哲二,
前田辰郎.
真空アニール法がAl2O3/GaSb MOS界面に与える影響,
電子デバイス研究会,
Aug. 2013.
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後藤高寛,
原紳介,
藤代博記,
小倉睦郎,
安田哲二,
前田辰郎.
GaAs上GaSb MOS構造の作製,
第60回応用物理学会春季学術講演会,
Mar. 2013.
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