論文

• Soshi Sato, Wei Li, Kuniyuki KAKUSHIMA, Kenji Ohmori, KENJI NATORI, Keisaku Yamada, HIROSHI IWAI. Eatraction of additional interfacial states of silicon nanowire field-effect transistors, APPLIED PHYSICS LETTERS, Vol. 98, June 2011.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• LiWei, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 西山彰, 杉井信之, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋. コンダクタンス法による立体チャネルを有するMOSキャパシタの界面準位密度の評価, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011.

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