SiC-MOSFETを使用した大容量双方向絶縁形DC-DCコンバータの損失低減に関する研究 | T2R2 東京工業大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	SiC-MOSFETを使用した大容量双方向絶縁形DC-DCコンバータの損失低減に関する研究
英文:	Study of Power-Loss Reduction in High-Power Bidirectional Isolated DC-DC Converters Using SiC-MOSFETs

著者

和文:	羽根田崚.
英文:	Ryo Haneda.

種別

種別:	学位論文(博士)
国名:	日本

言語

Japanese

学位授与組織

東京工業大学

報告番号

甲第12081号

学位授与日

2021/09/24

審査員

藤田英明, 千葉明, 萩原誠, 竹内希, 清田恭平, 和田圭二.

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