論文

• Naoaki Takebe, Y. Miyamoto. Reduction of base-collector capacitance in InP/InGaAs DHBT with buried SiO2 wires, IEICE Trans. Electron., vol. E95-C, no. 5, pp. 917-920, May 2012.
• N. Takebe, T. Kobayashi, H. Suzuki, Y. Miyamoto, K. Furuya. Fabrication of InP/InGaAs DHBTs with buried SiO2 wires, IEICE Trans. Electron., IEICE, vol. E94-C, no. 5, pp. 830-834, May 2011.

国際会議発表 (査読有り)

• N. Takebe, Y. Miyamoto. Reduction of Base-Collector Capacitance in InP/InGaAs DHBT with Buried SiO2 Wires, 2011 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices（AWAD), Sept. 2011.  公式リンク  
  
• YASUYUKI MIYAMOTO, Hiroaki Yamashita, Naoaki Takebe, KAZUHITO FURUYA. In-situ Etching in MOVPE for Thin Collector of InP HBT with Buried SiO2 Wire, Topical Workshop on Heterostructure Materials (TWHM2009), Aug. 2009.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 武部直明, 宮本恭幸. InP/InGaAs DHBT におけるSiO2細線埋め込みによるベースコレクタ間容量の削減, 第58回応用物理学会関係連合講演会, Apr. 2011.
• 小林 嵩, 鈴木裕之, 武部直明, 宮本恭幸, 古屋一仁. SiO2細線埋め込みInP/InGaAs DHBTの作製, 第57回応用物理学関係連合研究会, Mar. 2010.
• 武部直明, 山下浩明, 高橋新之助, 宮本恭幸, 古屋一仁. SiO2細線埋込InP系HBTにおけるCBr4を使ったin-situエッチング, 第70回応用物理学会学術講演会, Sept. 2009.
• 武部直明, 山下浩明, 高橋新之助, 齋藤尚史, 小林 嵩, 宮本恭幸, 古屋一仁. SiO2細線埋込InP系HBTにおけるCBr4を使ったIn-situエッチング, 電子情報通信学会電子デバイス研究会, June 2009.

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