論文

• T. Sasaki, H. Sugiyama, Y. Yoshiya, T. Hoshi, Y. Miyamoto, F. Nakajima. Impact of back-end-of-line processing on DC and RF characteristics of 60-nm-gate InP-based HEMTs for terahertz MMICs, Jpn J. Appl. Phys., vol. 65, Feb. 2026.
• H. Sugiyama, A. Teranishi, S. Suzuki, M. Asada. Structural and electrical transport properties of MOVPE-grown pseudomorphic AlAs/InGaAs/InAs resonant tunneling diodes on InP substrates, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 53, p. 031202, Feb. 2014.

国際会議発表 (査読有り)

• T. Sasaki, H. Sugiyama, Y. Yoshiya, T. Hoshi, Y. Miyamoto, F. Nakajima. Impact of back-end-of-line processing on DC and RF characteristics of 60-nm-gate InP-based HEMTs for terahertz MMICs, International Microprocesses and Nanotechnology Conference, Nov. 2025.  公式リンク  
  
• Hiroshi Hamada, Takuya Fujimura, Ibrahim Abdo, Kenichi Okada, Ho-jin Song, Hiroki Sugiyama, Hideaki Matsuzaki, Hideyuki Nosaka. 300-GHz, 100-Gb/s InP-HEMT Wireless Transceiver Using a 300-GHz Fundamental Mixer, IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS), pp. 1480-1483, June 2018.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 濱田 裕史, 堤 卓也, 杉山 弘樹, 松崎 秀昭, 岡田 健一, 野坂 秀之. 80nm InP-HEMTテクノロジを用いた300GHz帯多値変調トランシーバ用高アイソレーションミキサ, 電子情報通信学会 ソサイエティ大会, Sept. 2018.
• 濱田 裕史, 藤村 拓弥, Ibrahim Abdo, 岡田 健一, 堤 卓也, ソン ホジン, 杉山 弘樹, 松崎 秀昭, 野坂 秀之. InP-HEMTによる300GHz帯100Gb/sトランシーバ, 電子情報通信学会 マイクロ波研究会, Vol. MW2018-60, pp. 7-12, Sept. 2018.

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