国際会議発表 (査読有り)

• Y. Wu, Naoto Shigemori, Soshi Sato, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, KAZUO TSUTSUI, Nobuyuki Sugii, 西山彰, KENJI NATORI, takeo hattori, HIROSHI IWAI. Observation of Tunneling FET operation in MOSFET with NiSi/Si Schottky source/channel interface, ECS 218th Meeting, Oct. 2010.
• Naoto Shigemori, Soshi Sato, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, KAZUO TSUTSUI, 西山彰, Nobuyuki Sugii, KENJI NATORI, takeo hattori, HIROSHI IWAI. Suppression of Lateral Encroachment of Ni Silicide into Si Nanowires using Nitrogen Incorporation, tECS 218th Meeting, Oct. 2010.

国際会議発表 (査読なし・不明)

• 小山将央, Naoto Shigemori, Kenji Ozawa, Kiichi Tachi, Kuniyuki KAKUSHIMA, O. Nakatsuka, 大毛利健治, KAZUO TSUTSUI, 西山彰, Nobuyuki Sugii, Keisaku Yamada, HIROSHI IWAI. Si/Ni-Silicide Schottky Junctions with Atomically Flat Interfaces Using NiSi2 Source, 41st European Solid-State Device Research Conference, 2013.
• Naoto Shigemori, Soshi Sato, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, KAZUO TSUTSUI, 西山彰, Nobuyuki Sugii, KENJI NATORI, takeo hattori, HIROSHI IWAI. An effective suppression process for Ni silicide enchroachment into Si nanowire, Taiwan-Japan Workshop on “Nano Devices”, 2011.
• 小山将央, Naoto Shigemori, Hideaki Arai, Soshi Sato, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, KAZUO TSUTSUI, 西山彰, Nobuyuki Sugii, KENJI NATORI, takeo hattori, HIROSHI IWAI. Lateral encroachment of Ni silicide into silicon nanowire, Taiwan-Japan Workshop on “Nano Devices”, 2011.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 呉研, 茂森直登, 佐藤創志, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 西山彰, 杉井信之, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋. トンネルFET動作に向けたNiシリサイド/Si接触におけるトンネル電流の観測, 第７１回応用物理学会学術講演会, Sept. 2010.
• 小山 将央, 茂森直登, 佐藤創志, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 西山彰, 筒井一生, 杉井信之, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋. 窒素導入によるSiナノワイヤ内へのNiシリサイド侵入抑制機構の検討, 第７１回応用物理学会学術講演会, Sept. 2010.
• 茂森直登, 佐藤創志, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 西山彰, 杉井信之, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋. SiナノワイヤへのNiシリサイド形成と過剰な侵入とその抑制に関する検討, 電子情報通信学会技術研究報告 pp.17-22, June 2010.
• 茂森直登, 新井英朗, 佐藤創志, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 西山彰, 筒井一生, 杉井信之, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋. 酸化膜中のSiナノワイヤへのNi拡散の制御, 第57回応用物理学関係連合講演会, 第57回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, pp. 13-269, Mar. 2010.
• 茂森直登, 佐藤創志, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 西山彰, 筒井一生, 杉井信之, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋. Suppression of Lateral Encroachment of Ni Silicide into Si Nanowires using Nitrogen Incorporation, 複合創造領域シンポジウム, 2010.
• 小山将央, 茂森直登, 新井英朗, 佐藤創志, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 西山彰, 杉井信之, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋. Lateral encroachment of Ni silicide into Si nanowire, 複合創造領域シンポジウム, 2010.
• 呉研, 茂森直登, 佐藤創志, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 西山彰, 杉井信之, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋. Observation of Tunneling FET operation in MOSFET with NiSi/Si Schottky source/channel interface, 複合創造領域シンポジウム, 2010.

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