国際会議発表 (査読有り)

• K. Ohsawa, A. Kato, T. Sagai, T. Kanazawa, E. Uehara, Y. Miyamoto. Channel thickness dependence on InGaAs MOSFET with n-InP source for high current density, 10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2013), 2-9, pp. 19-20, Sept. 2013.
• Y. Yamaguchi, T. Sagai, Y. Miyamoto. Fabrication of InP/InGaAs SHBT on Si Substrate by Using Transferred Substrate Process, 9th Topical Workshop on Heterostructure Materials, Sept. 2011.  公式リンク  
  

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 大澤一斗, 加藤淳, 佐賀井健, 金澤徹, 上原英治, 宮本恭幸. 高電流密度化に向けたInPソースを有するIII-V-OI InGaAs MOSFETのチャネル厚依存性, 第74回秋季応用物理学会学術講演会, Sept. 2013.
• 佐賀井 健, 上原 英治, 大澤 一斗, 宮本 恭幸. n-InP ソースを持つT ゲート構造 InGaAs-MOSFET の高周波特性, 2013年電子情報通信学会総合大会, Mar. 2013.
• 佐賀井健, 米内義晴, 宮本恭幸. InGaAs チャネル MOSFET の EOT 削減による 伝達コンダクタンス向上, 第 73 回応用物理学会学術講演会, Sept. 2012.
• 山口裕太郎, 佐賀井健, 宮本恭幸. 基板転写プロセスを用いたSi基板上InP/InGaAs SHBTの作製, 第58回応用物理学会関係連合講演会, Apr. 2011.

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