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Publication List - Keisuke Ide 2020 (23 / 201 entries)
Journal Paper
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Chihiro Yamamoto,
Xinyi He,
Takayoshi Katase,
Keisuke Ide,
Yosuke Goto,
Yoshikazu Mizuguchi,
Akane Samizo,
Makoto Minohara,
Shigenori Ueda,
Hidenori Hiramatsu,
Hideo Hosono,
Toshio Kamiya.
Double charge polarity switching in Sb-doped SnSe with switchable substitution sites,
Adv. Funct. Mater.,
p. 202008092,
Dec. 2020.
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Christian A. Niedermeier,
Keisuke Ide,
Takayoshi Katase,
Hideo Hosono,
Toshio Kamiya.
Shallow valence band of rutile GeO2 and p-type doping,
J. Phys. Chem. C,
vol. 124,
p. 25721-25728,
Nov. 2020.
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Christian A. Niedermeier,
Yu Kumagai,
Keisuke Ide,
Takayoshi Katase,
Fumiyasu Oba,
Hideo Hosono,
Toshio Kamiya.
Phonon scattering limited mobility in the representative cubic perovskite semiconductors SrGeO3, BaSnO3, and SrTiO3,
Phys. Rev. B,
101,
125206-1-10,
Mar. 2020.
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Kodai Aoyama,
Takao Shimizu,
Hideto Kuramochi,
Masami Mesuda,
Ryo Akiike,
Keisuke Ide,
Takayoshi Katase,
Toshio Kamiya,
Yoshisato Kimura,
Hiroshi Funakubo.
Fabrication and characterization of CaxSr1-x)Si2 films prepared by co-sputtering method,
MRS Advances,
Jan. 2020.
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Kodai Aoyama,
Takao Shimizu,
Hideto Kuramochi,
Masami Mesuda,
Ryo Akiike,
Keisuke Ide,
Takayoshi Katase,
Toshio Kamiya,
Yoshisato Kimura,
Hiroshi Funakubo.
Thermoelectric (BaxSr1–x)Si2 films prepared by sputtering method over the barium solubility limit,
Jpn. J. Appl. Phys.,
vol. 59,
p. SFFB02-1-6,
Jan. 2020.
Domestic Conference (Reviewed)
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白石明浩,
ホー シンイ,
渡邉脩人,
片瀬貴義,
井手啓介,
平松秀典,
細野秀雄,
神谷利夫.
2次元層状半導体AETMN2 (AE = Sr, Ba, TM = Ti, Zr, Hf)の高純度試料合成と電気・磁気特性,
日本セラミックス協会 第40回電子材料研究討論会,
Nov. 2020.
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木村公俊,
樋口雄飛,
片瀬貴義,
井手啓介,
平松秀典,
細野秀雄,
神谷利夫.
LaNiO3極薄膜の金属-絶縁体転移に伴う巨大フォノンドラッグ熱電効果の発現,
日本セラミックス協会 第40回電子材料研究討論会,
Nov. 2020.
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加藤昭宏,
笠井悠莉華,
井手啓介,
片瀬貴義,
平松秀典,
細野秀雄,
神谷利夫.
超ワイドギャップa-Ga-O薄膜トランジスタへの水素プラズマ処理効果,
薄膜材料デバイス研究会 第17回研究会「薄膜デバイスの原点」,
Nov. 2020.
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木村公俊,
片瀬貴義,
井手啓介,
平松秀典,
細野秀雄,
神谷利夫.
LaNiO3超薄膜の表面終端処理によるフォノンドラッグ熱電能の増強効果,
薄膜材料デバイス研究会 第17回研究会「薄膜デバイスの原点」,
Nov. 2020.
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ホーシンイ,
片瀬貴義,
井手啓介,
細野秀雄,
神谷利夫.
Density functional study on electronic structure, defect formation and carrier doping control of AETMN2 (AE=Ca,Sr,Ba, TM=Ti,Zr,Hf),
日本セラミックス協会 第40回電子材料研究討論会,
Nov. 2020.
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橋本幸花,
ホーシンイ,
片瀬貴義,
井手啓介,
細野秀雄,
神谷利夫.
超ワイドギャップアルカリ土類酸化物への電子ドーピングの理論的検討,
日本セラミックス協会 第40回電子材料研究討論会,
Nov. 2020.
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西村優作,
ホーシンイ,
片瀬貴義,
井手啓介,
平松秀典,
細野秀雄,
神谷利夫.
準安定(Pb1-xSnx)Se固溶体バルク試料の合成と2次元-3次元構造転移に伴う巨大電子物性変調,
日本セラミックス協会 第40回電子材料研究討論会,
Nov. 2020.
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長達也,
ホーシンイ,
森大介,
片瀬貴義,
井手啓介,
平松秀典,
細野秀雄,
神谷利夫.
層状半導体AE2CuInO3Ch (AE :アルカリ土類、Ch :カルコゲン)の光電子物性と両極性伝導制御の可能性,
日本セラミックス協会 第40回電子材料研究討論会,
Nov. 2020.
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片瀬貴義,
樋口雄飛,
木村公俊,
只野央将,
藤岡淳,
井手啓介,
平松秀典,
細野秀雄,
神谷利夫.
トレードオフの相関を破る酸化物熱電材料の高出力化,
第17回 日本熱電学会学術講演会,
Sept. 2020.
Domestic Conference (Not reviewed / Unknown)
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加藤昭宏,
笠井悠莉華,
井手啓介,
片瀬貴義,
平松 秀典,
細野 秀雄,
神谷 利夫.
水素ドープアモルファス酸化ガリウムを用いた薄膜トランジスタ,
第67回応用物理学会春季学術講演会,
Mar. 2020.
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樋口 雄飛,
片瀬 貴義,
只野 央将,
藤岡 淳,
井手 啓介,
平松 秀典,
細野 秀雄,
神谷 利夫.
熱起電力と導電率のトレードオフの関係を破る酸化物熱電材料LaNiO3の高出力特性,
第67回応用物理学会春季学術講演会,
Mar. 2020.
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木村 公俊,
樋口 雄飛,
片瀬 貴義,
蓑原 誠人,
麻生 亮太郎,
吉田 秀人,
井手 啓介,
平松 秀典,
上田 茂典,
組頭 広志,
細野 秀雄,
神谷 利夫.
モット絶縁体LaNiO3超薄膜に発現する巨大フォノンドラッグ熱電効果,
第67回応用物理学会春季学術講演会,
Mar. 2020.
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渡邉 脩人,
白石 明浩,
ホ シンイ,
片瀬 貴義,
井手 啓介,
松崎 功佑,
平松 秀典,
細野 秀雄,
神谷 利夫.
層状結晶半導体SrTiN2の高純度試料合成と光電子輸送特性,
第67回応用物理学会春季学術講演会,
Mar. 2020.
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山本 千紘,
ホ シンイ,
橋本 幸花,
片瀬 貴義,
井手 啓介,
平松 秀典,
上田 茂典,
細野 秀雄,
神谷 利夫.
Sb添加SnSeのゼーベック・ホール係数の二重極性反転機構,
第67回応用物理学会春季学術講演会,
Mar. 2020.
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Takayoshi Katase,
Yuhi Higuchi,
Terumasa Tadano,
Jun Fujioka,
Keisuke Ide,
Hidenori Hiramatsu,
Hideo Hosono,
Toshio Kamiya.
Power-factor enhancement by breaking trade-off relation of electrical conductivity and thermopower in strain-controlled transition metal oxide,
日本セラミックス協会 第58回セラミックス基礎科学討論会,
Jan. 2020.
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片瀬貴義,
樋口雄飛,
只野 央将,
藤岡 淳,
井手 啓介,
平松 秀典,
細野 秀雄,
神谷 利夫.
トレードオフの相関を破る酸化物熱電材料の高出力特性,
応用物理学会新領域、第10回強的秩序とその操作に関わる研究グループ研究会,
Jan. 2020.
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山本千紘,
片瀬貴義,
井手啓介,
平松秀典,
細野秀雄,
神谷利夫.
層状SnSeへのSbドーピングと二重極性反転現象,
日本セラミックス協会 第58回セラミックス基礎科学討論会,
Jan. 2020.
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青山航大,
清水荘雄,
倉持豪人,
召田雅実,
秋池良,
井手啓介,
片瀬貴義,
神谷利夫,
舟窪浩.
二元同時スパッタ法で作製したAeSi2 膜(Ae= Ca, Sr, Ba)の構成相と電気特性,
日本セラミックス協会 第58回セラミックス基礎科学討論会,
Jan. 2020.
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