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菅原聡 2012年 研究業績一覧 (15件 / 409件)
論文
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Y. Takamura,
K. Hayashi,
Y. Shuto,
R. Nakane,
S. Sugahara.
Fabrication of High-Quality Co2FeSi/SiOxNy/Si(100) Tunnel Contacts Using Radical-Oxynitridation-Formed SiOxNy Barrier for Si-Based Spin Transistors,
J. Electron. Mater.,
Springer,
vol. 41,
no. 5,
pp. 954-958,
Apr. 2012.
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Y. Takamura,
S. Sugahara.
Analysis and control of the Hanle effect in metal–oxide–semiconductor inversion channels,
J. Appl. Phys.,
American Institute of Physics,
vol. 111,
Issue 7,
pp. 07C323/1-3,
Mar. 2012.
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Y. Shuto,
S. Yamamoto,
S. Sugahara.
Evaluation and control of break-even time of nonvolatile SRAM based on spin-transistor architecture with spin-transfer-torque MTJs,
J. Appl. Phys.,
vol. 51,
no. 4,
pp. 040212/1-3,
2012.
国際会議発表 (査読有り)
国際会議発表 (査読なし・不明)
国内会議発表 (査読なし・不明)
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菅原聡,
周藤悠介,
山本修一郎.
スピントロニクス/CMOS融合技術:スピントランジスタ・アーキテクチャ,
平成24年秋季 第73回応用物理学会学術講演会,
Sept. 2012.
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髙村 陽太,
菅原 聡.
スピンMOSFETにおけるHanle効果の解析(2),
第73回応用物理学会学術講演会,
11p-PA2-5,
Sept. 2012.
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周藤悠介,
山本修一郎,
菅原聡.
擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性SRAM:スリープモード動作とその応用,
平成24年秋季 第73回応用物理学会学術講演会,
Sept. 2012.
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山本修一郎,
周藤悠介,
菅原聡.
擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性DFF:BETにおける静的リーク電流の影響,
平成24年秋季 第73回応用物理学会学術講演会,
Sept. 2012.
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山本修一郎,
周藤悠介,
菅原聡.
擬似スピンMOSFET技術を用いたFPGAの不揮発性パワーゲーティング,
平成24年秋季 第73回応用物理学会学術講演会,
Sept. 2012.
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周藤悠介,
山本修一郎,
菅原聡.
擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性SRAMのスタティックノイズマージンとエネルギー性能の解析,
電子通信学会集積回路研究会(ICD)シリコン材料・デバイス研究会(SDM)共催研究会,
Aug. 2012.
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菅原 聡,
周藤 悠介,
山本 修一郎.
スピントロニクス/CMOS融合技術: スピン機能MOSFETとその低消費電力ロジック応用,
半導体・集積回路技術シンポジウム,
July 2012.
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周藤悠介,
山本修一郎,
菅原聡.
擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性SRAM:スタティックノイズマージン評価,
第59回応用物理学関係連合講演会,
Mar. 2012.
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菅原聡.
CMOS/スピントロニクス融合技術による不揮発性ロジックシステムの展望,
電子情報技術産業協会平成23年度第5回省電力エレクトロニクス技術分科会,
Jan. 2012.
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