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菅原聡 2011年 研究業績一覧 (34件 / 409件)
論文
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Shinsuke Yada,
Pham Nam Hai,
Satoshi Sugahara,
Masaaki Tanaka.
Structural and magnetic properties of Ge1-xMnx thin films grown on Ge (001) substrates,
Journal of applied physics,
Vol. 110,
p. 073903,
Oct. 2011.
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Y. Takamura,
S. Sugahara.
Analysis and Design of Hanle-Effect Spin Transistors at 300 K,
IEEE Magn. Lett.,
Vol. 2,
pp. 3000404/1-4,
Oct. 2011.
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S. Yamamoto,
Y. Shuto,
S. Sugahara.
Nonvolatile delay flip-flop using spin-transistor architecture with spin transfer torque MTJs for power-gating systems,
IET Electronics Letters,
vol. 47,
no. 18,
pp. 1027-1029,
Sept. 2011.
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Y. Takamura,
T. Sakurai,
R. Nakane,
Y. Shuto,
S. Sugahara.
Epitaxial germanidation of full-Heusler Co2FeGe alloy thin films formed by rapid thermal annealing,
J. Appl. Phys.,
American Institute of Physics,
Vol. 109,
no. 7,
pp. 07B768/1-3,
Apr. 2011.
国際会議発表 (査読有り)
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Y. Shuto,
S. Yamamoto,
S. Sugahara.
Nonvolatile SRAM based on spin-transistor architecture for nonvolatile power-gating systems,
International Symposium on Advanced Hybrid Nano Devices (IS-AHND): Prospects by World’s Leading Scientists,
Oct. 2011.
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S. Yamamoto,
Y. Shuto,
S. Sugahara.
Nonvolatile power-gating FPGAs based on spin-transistor architecture,
International Symposium on Advanced Hybrid Nano Devices (IS-AHND): Prospects by World’s Leading Scientists,
Oct. 2011.
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Y. Takamura,
S. Sugahara.
Analysis and design of Hanle-effect spin-transistor,
International Symposium on Advanced Hybrid Nano Devices (IS-AHND) : Prospects by World’s Leading Scientists,
pp. 125-126,
Oct. 2011.
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Y. Takamura,
K. Hayashi,
Y. Shuto,
S. Sugahara.
Formation and structural analysis of half-metallic Co2FeSi/SiOxNy/Si contacts with radical-oxynitridation-SiOxNy tunnel barrier,
International Symposium on Advanced Hybrid Nano Devices (IS-AHND) : Prospects by World’s Leading Scientists,
paper P-40,
pp. 127-128,
Oct. 2011.
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M. Satoh,
Y. Takamura,
S. Sugahara.
Preparation and characterization of L21-ordered full-Heusler Co2FeSi1-xAlx alloy thin films formed by rapid thermal annealing,
International Symposium on Advanced Hybrid Nano Devices (IS-AHND) : Prospects by World’s Leading Scientists,
paper P-41,
pp. 129-130,
Oct. 2011.
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T. Okishio,
Y. Takamura,
S. Sugahara.
Low-barrier ferromagnet source/drain MOSFETs using CoFe/Mg/AlOx/Si depinning contacts,
International Symposium on Advanced Hybrid Nano Devices (IS-AHND) : Prospects by World’s Leading Scientists,
paper P-42,
pp. 131-132,
Oct. 2011.
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Y. Takamura,
S. Sugahara.
Analysis of the Hanle effect in Si MOS inversion channels at 300K,
56th Annual Conf. on Magnetism and Magnetic Materials (MMM),
HB-12,
pp. 548-529,
Oct. 2011.
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T. Okishio,
Y. Takamura,
S. Sugahara.
Fabrication of spin-MOSFETs using CoFe/Mg/AlOx/Si tunnel junctions for the source and drain,
International Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM),
J-4-4,
p. 31,
Sept. 2011.
公式リンク
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M. Satoh,
Y. Takamura,
S. Sugahara.
Characterization of L21-ordered full-Heusler Co2FeSi1-xAlx alloy thin films formed by silicidation technique employing a silicon-on-insulator substrate,
Electronic Materials Conf. (EMC) 2011,
DD-10,
p. 96,
June 2011.
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Y. Takamura,
K. Hayashi,
Y. Shuto,
S. Sugahara.
Formation of half-metallic tunnel junctions of Co2FeSi/SiOxNy/Si using radical oxynitridation technique,
Electronic Materials Conf. (EMC) 2011,
DD-9,
p. 96,
June 2011.
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Y. Shuto,
S. Yamamoto,
S. Sugahara.
Evaluation and control of break-even time for nonvolatile SRAM using pseudo-spin-MOSFETs wit spin-transfer-torque MTJs,
IEEE International Magnetics Conference 2011 (INTERMAG),
Apr. 2011.
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S. Yamamoto,
Y. Shuto,
S. Sugahara.
Application of NV-DFF and NV-SRAM using spin-transistor Architecture with spin transfer torque MTJs to nonvolatile power-gating FPGA,
IEEE International Magnetics Conference 2011 (INTERMAG),
Apr. 2011.
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S. Yamamoto,
Y. Shuto,
S. Sugahara.
Power-gating ability and power aware design of nonvolatile delay flip-flop using spin-transistor architecture with spin transfer torque MTJs,
IEEE International Magnetics Conference 2011 (INTERMAG),
Apr. 2011.
国際会議発表 (査読なし・不明)
国内会議発表 (査読なし・不明)
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高村陽太,
林建吾,
影井泰次郎,
周藤悠介,
菅原聡.
ラジカル酸窒化膜を用いたCFS/SiOxNy/Siトンネル接合の形成と構造評価,
第16回半導体スピン工学の基礎と応用(PASPS-16),
p. 41,
Nov. 2011.
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置塩貴雄,
高村陽太,
菅原聡.
CoFe/Mg/AlOx/Siデピン接合を用いた低バリア強磁性ソース/ドレインMOSFET,
第16回半導体スピン工学の基礎と応用(PASPS-16),
p. 75,
Nov. 2011.
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菅原聡,
周藤悠介,
山本修一郎.
CMOS/スピントロニクス融合技術による不揮発性ロジックシステムの展望,
電子情報通信学会技術研究報告「磁気記録・情報ストレージ」,
pp. 63-70,
Oct. 2011.
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SATOSHI SUGAHARA.
Spin-functional MOSFETs: Material, device, and circuit technologies,
29th Electronic Materials Symposium (EMS-29),
pp. 277-279,
Sept. 2011.
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山本修一郎,
菅原聡.
抵抗変化素子を用いたばらつき補償CMOSゲート,
2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会,
Sept. 2011.
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高村陽太,
菅原聡.
スピンMOSFET におけるHanle 効果の解析,
第72回応用物理学会学術講演会,
2p-P-24,
Sept. 2011.
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髙村 陽太,
林 建吾,
周藤 悠介,
菅原 聡.
ラジカル酸窒化法を用いたCo2FeSi/SiOxNy/Siトンネル接合の形成,
第72回応用物理学会学術講演会,
31p-ZS-12,
Sept. 2011.
公式リンク
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周藤悠介,
山本修一郎,
菅原聡.
擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性SRAM:スリープ時リーク電流削減効果,
第72回秋季応用物理学会学術講演会,
Aug. 2011.
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置塩貴雄,
高村陽太,
菅原聡.
CoFe/Mg/AlOx/Siトンネル構造をソース/ドレインに用いたスピンMOSFETの作製,
第72回応用物理学会学術講演会,
1p-P10-25,
Aug. 2011.
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菅原聡.
スピン機能MOSFET技術の展開,
日本学術振興会ナノプローブテクノロジー第167委員会第63回研究会,
pp. 18-24,
July 2011.
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佐藤 充浩,
髙村 陽太,
菅原 聡.
RTAを用いたフルホイスラー合金Co2FeSi1-xAlxの形成と評価(2),
第58回応用物理学関係連合講演会,
25a-KM-11,
Mar. 2011.
公式リンク
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菅原聡.
スピントランジスタ・エレクトロニクス -不揮発性ロジックに基づく低消費電力集積回路の基盤技術-,
2011年春季 第58回応用物理学関係連合講演会,
2011年春季 第58回応用物理学関係連合講演会,
paper 25a-KA-7,
Mar. 2011.
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菅原聡.
スピントランジスタ・エレクトロニクス -不揮発性ロジックに基づく低消費電力集積回路の基盤技術-,
2011年春季 第58回応用物理学関係連合講演会, シンポジウム:ナノエレクトロニクス研究の国際連携,
Mar. 2011.
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林建吾,
高村陽太,
周藤悠介,
菅原聡.
RTA法を用いたCo2FeSiの形成における初期多層膜構造の影響,
第58回応用物理学関係連合講演会,
25a-KM-10,
Mar. 2011.
公式リンク
その他の論文・著書など
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M. Tanaka,
S. Ohya,
Y. Shuto,
S. Yada,
S. Sugahara.
III-V and Group-IV Based Ferromagnetic Semiconductors for Spintronics,
Comprehensive Nanoscience and Technology,Academic Press (Oxford),
Vol. 4,
pp. 447-462,
Feb. 2011.
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菅原聡,
周藤悠介,
山本修一郎.
CMOS/スピントロニクス融合技術による不揮発性ロジックシステムの展望,
まぐね,
vol. 6,
no. 1,
pp. 5-15,
2011.
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