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大見俊一郎 2009年 研究業績一覧 (11件 / 298件)
論文
国内会議発表 (査読なし・不明)
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佐野貴洋,
大見俊一郎.
ECRスパッタ法による3次元構造上へのHfN/HfONゲートスタック構造の形成,
秋季第70回応用物理学会学術講演会,
秋季第70回応用物理学会学術講演会予稿集,
応用物理学会,
pp. 737,
Sept. 2009.
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石川純平,
高峻,
大見俊一郎.
ポストアニールによるYb混晶化PtSiの低抵抗率化に関する検討,
秋季第70回応用物理学会学術講演会,
秋季第70回応用物理学会学術講演会予稿集,
応用物理学会,
pp. 756,
Sept. 2009.
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高峻,
石川純平,
大見俊一郎.
Hf混晶化PtSiの耐熱性に関する検討,
春季第56回応用物理学関係連合講演会,
春季第56回応用物理学関係連合講演会予稿集,
応用物理学会,
pp. 867,
Mar. 2009.
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Young uk Song,
Md.Akhtaruzzaman,
Shun-ichiro Ohmi,
Hiroshi Ishiwara.
Characteristics of pentacene based MOS diodes with thin gate dielectric,
春季第56回応用物理学関係連合講演会,
春季第56回応用物理学関係連合講演会,
応用物理学会,
pp. 1396,
Mar. 2009.
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Joo-Won Yoon,
Shun-ichiro Ohmi,
Hiroshi Ishiwara.
Retention Characteristics of poly(vinylidenefluoride-trifluoroethylene)MFIS diodes,
春季第56回応用物理学関係連合講演会,
春季第56回応用物理学関係連合講演会予稿集,
応用物理学会,
Mar. 2009.
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石川純平,
高峻,
大見俊一郎.
Yb混晶化PtSiの結晶性に関する検討,
春季第56回応用物理学関係連合講演会,
春季第56回応用物理学関係連合講演会予稿集,
応用物理学会,
pp. 866,
Mar. 2009.
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佐野貴洋,
大見俊一郎.
3次元構造上に形成したHfON薄膜の側壁部膜質の評価,
春季第56回応用物理学関係連合講演会,
春季第56回応用物理学関係連合講演会予稿集,
応用物理学会,
pp. 850,
Mar. 2009.
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Young uk Song,Shun-ichiro Ohmi,Hiroshi Ishiwara.
Investigation of characteristics of pentacene-based MOSFETs structures,
電子情報通信学会SDM研究会,
電子情報通信学会技術研究報告,
電子情報通信学会,
Vol. 109,
No. 127,
pp. 43-46,
2009.
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高峻、石川純平、大見俊一郎.
2段階シリサイド化によるHf混晶化PtSiの耐熱性向上に関する検討,
電子情報通信学会SDM研究会,
電子情報通信学会技術研究報告,
電子情報通信学会,
Vol. 109,
No. 118,
pp. 7-10,
2009.
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佐野貴洋、大西峻人、大見俊一郎.
ECRスパッタ法によるHfN/HfON積層構造の形成,
電子情報通信学会SDM研究会,
電子情報通信学会技術研究報告,
電子情報通信学会,
Vol. 109,
No. 119,
pp. 11-14,
2009.
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