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大見俊一郎 2008年 研究業績一覧 (12件 / 298件)
国際会議発表 (査読有り)
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Uzzaman Md. Akhtar,
S. Ohmi,
J. Nishida,
Y. Yamashita,
H. Ishiwara.
Improvement of Pentacene Based MOS Diodes Characteristics by Surface Treatment of SiO2,
第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集,
第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集,
応用物理学会,
No. 3,
p. 1286,
Apr. 2008.
国内会議発表 (査読有り)
国内会議発表 (査読なし・不明)
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高峻,
石川純平,
大見俊一郎.
Hf結晶化PtSiの結晶性に関する検討,
秋季第69回応用物理学会学術講演会,
秋季第69回応用物理学会学術講演会予稿集,
応用物理学会,
pp. 750,
Sept. 2008.
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佐野貴洋、大見俊一郎.
ECRスパッタ法による３次元構造上へのHfOxNy薄膜の形成,
秋季第69回応用物理学会学術講演会,
秋季第69回応用物理学会学術講演会予稿集,
応用物理学会,
pp. 748,
Sept. 2008.
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須田雄一郎、モハメド アヌア、高峻、大見俊一郎.
RFマグネトロンスパッタ法によるPtSiゲート電極の形成,
秋季第69回応用物理学会学術講演会,
秋季第69回応用物理学会学術講演会予稿集,
応用物理学会,
pp. 749,
Sept. 2008.
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高峻,
仲野雄介,
大見俊一郎.
Hf混晶化PtSiのシリサイド化条件に関する検討,
第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集,
第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集,
応用物理学会,
No. 2,
p. 885,
Mar. 2008.
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尹珠元,
大見俊一郎,
石原宏.
Characteristics of metal-ferroelectric-insulartor-semiconductor structures based on poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene),
電子情報通信学会SDM研究会,
電子情報通信学会技術研究報告,
電子情報通信学会,
Vol. 107,
No. 549,
pp. 13-16,
Mar. 2008.
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尹珠元,
大見俊一郎,
石原宏.
Ferroelectrics Characteristics of poly (vinylidene fluoride - trifluoroethylene) MFIS diodes,
第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集,
第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集,
応用物理学会,
No. 2,
p. 579,
Mar. 2008.
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須田雄一郎,
野武幸輝,
高峻,
佐野貴洋,
大見俊一郎.
RFスパッタ法による3次元構造上へのSiO2薄膜の形成,
第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集,
第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集,
応用物理学会,
No. 2,
p. 881,
Mar. 2008.
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佐野貴洋,
仲野雄介,
大見俊一郎.
ECRスパッタ法による3次元ゲート構造上へのHfO2薄膜の形成,
第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集,
第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集,
応用物理学会,
No. 2,
p. 882,
Mar. 2008.
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高峻、石川純平、大見俊一郎.
Hf結晶化PtSiの仕事関数変数機構の検討,
電子情報通信学会SDM研究会,
電子情報通信学会技術研究報告,
電子情報通信学会,
Vol. 108,
pp. 41-44,
2008.
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高峻,
石川純平,
大見俊一郎.
Hf結晶化PtSiの仕事関数変調機構の検討,
電子情報通信学会SDM研究会,
電子情報通信学会技術研究報告,
電子情報通信学会,
Vol. 108,
No. 162,
pp. 41-44,
2008.
特許など
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大見俊一郎,
加藤 樹里.
半導体装置の製造方法.
特許.
公開.
国立大学法人東京工業大学, セイコーエプソン株式会社.
2007/11/08.
特願2007-290698.
2008/07/10.
特開2008-160073.
2008.
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