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大見俊一郎 2010年 研究業績一覧 (11件 / 298件)
論文
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高 峻,
石川 純平,
大見俊一郎.
Hf混晶化によるPtSiの高精度仕事関数制御に関する検討,
電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス,
一般社団法人電子情報通信学会,
Vol. 110,
No. 241,
pp. 17-20,
Oct. 2010.
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佐野 貴洋,
大見俊一郎.
ECRスパッタ法によるHfN/HfSiON積層構造の in-situ 形成,
電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス,
一般社団法人電子情報通信学会,
Vol. 110,
No. 241,
pp. 57-60,
Oct. 2010.
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高 峻,
石川 純平,
大見俊一郎.
2段階シリサイド化によるHf混晶化極薄PtSiの耐熱性向上に関する検討,
電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス = The transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C,
一般社団法人電子情報通信学会,
Vol. 93,
No. 10,
pp. 346-352,
Oct. 2010.
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石川 純平,
高 峻,
大見俊一郎.
Yb混晶化PtSiの仕事関数変調機構,
電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス,
一般社団法人電子情報通信学会,
Vol. 110,
No. 241,
pp. 13-16,
Oct. 2010.
国内会議発表 (査読なし・不明)
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木村雄一郎,
高峻,
石川純平,
大見俊一郎.
RFマグネトロンスパッタ法によるPtSiゲート電極の形成,
春季第57回応用物理学関係連合講演会,
春季第57回応用物理学関係連合講演会予稿集,
応用物理学会,
p. 13-152,
Mar. 2010.
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石川純平,
高峻,
大見俊一郎.
ウェットエッチングによるYb混晶化PtSiのパターニングに関する検討,
春季第57回応用物理学関係連合講演会,
春季第57回応用物理学関係連合講演会予稿集,
応用物理学会,
p. 13-177,
Mar. 2010.
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Young uk Song,
Shun-ichiro Ohmi,
Hiroshi Ishiwara.
Investigation of n-type properties of pentacene based on MOS diodes utilizing ultra thin metal interlayer,
春季第57回応用物理学関係連合講演会,
春季第57回応用物理学関係連合講演会予稿集,
応用物理学会,
p. 12-435,
Mar. 2010.
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Liao Min,
Young uk Song,
Jumpei Ishikawa,
Shun-ichiro Ohmi.
Dielectric layer dependence of electrical and physical properties of pentacene films,
春季第57回応用物理学関係連合講演会,
春季第57回応用物理学関係連合講演会予稿集,
応用物理学会,
p. 12-424,
Mar. 2010.
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高峻,
石川純平,
大見俊一郎.
2段階シリサイド化によるHf混晶化PtSiの極薄膜化にかんする検討,
春季第57回応用物理学関係連合講演会,
春季第57回応用物理学関係連合講演会予稿集,
応用物理学会,
p. 13-178,
Mar. 2010.
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佐野貴洋,
大見俊一郎.
ECRスパッタ法により形成したHfN/HfSiON/Si(100)ゲートスタック構造の評価,
春季第57回応用物理学関係連合講演会,
春季第57回応用物理学関係連合講演会予稿集,
応用物理学会,
p. 13-104,
Mar. 2010.
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Han Hui-Seong,
Takahiro Sano,
Young uk Song,
Shun-ichiro Ohmi.
Electrical Properties of Hf/HfSiON/p-Si(100) Structure MIS capacitor by Using ECR-Sputtering,
春季第57回応用物理学関係連合講演会,
春季第57回応用物理学関係連合講演会予稿集,
応用物理学会,
p. 13-105,
Mar. 2010.
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