論文

• Shun-ichiro OHMI, K. Kanemoto, H. Oka, H. Hisamatsu, Y. Matsuzawa, Y. Kitano, T. Hara, M. Hoshina, S. Ohmi, J. Kato. Fabrication of SOI MOSFET by “Separation by Bonding Silicon Islands (SBSI) Method, ECS Transactions, Vol. 6, No. 8, pp. 309-313, Aug. 2007.
• J. Kato, H. Oka, K. Kanemoto, H. Hisamatsu, Y. Matsuzawa, Y. Kitano, T. Hara, M. Hoshina, S. Ohmi. Mechanism of Selective Etching of SiGe Layers in SiGe/Si Systems, ECS Transactions, The Electrochemical Society, Vol. 6, No. 8, pp. 245-251, Aug. 2007.
• S. Ohmi, T. Sakai. A Proposal of TC-MOSFET and Fabrication Process of Twin Si Channels, IEICE Trans. Electron., Vol. E90-C, No. 1, pp. 994-999, May 2007.

国際会議発表 (査読有り)

• S. Ohmi, Y. Nakano. Investigation of PDA Process to Improve Electrical Characteristics of HfOxNy High-k Dielectric Formed by ECR Plasma Oxidation of HfN, 2007 International Symposium on Semiconductor Manufacturing, 2007 International Symposium on Semiconductor Manufacturing, Conf. Proc., IEEE, pp. 514-517, Oct. 2007.
• J. Kato, H. Oka, K. Kanemoto, H. Hisamatsu, Y. Matsuzawa, Y. Kitano, T. Hara, M. Hoshina, S. Ohmi. Fabrication of SOI MOSFET by “Separation by Bonding Silicon Islands (SBSI) Method, The 211th Meeting of The Electrochemical Society, Meeting Abstract, The Electrochemical Society, No. 745, May 2007.
• J. Kato, H. Oka, K. Kanemoto, H. Hisamatsu, Y. Matsuzawa, Y. Kitano, T. Hara, M. Hoshina, S. Ohmi. Mechanism of Selective Etching of SiGe Layers in SiGe/Si Systems, The 211th Meeting of The Electrochemical Society, Meeting Abstract, The Electrochemical Society, No. 868, May 2007.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 大見俊一郎. HfNのECRプラズマ酸化により形成したHfOxNyのPDAプロセスの検討, International Symposium on Semiconductor Manufacturing 2007 日本特別報告会, International Symposium on Semiconductor Manufacturing 2007 日本特別報告会 Conf. Proc., ISSM日本事務局, pp. 25-33, Nov. 2007.
• 大見俊一郎, 高峻, 仲野雄介. Hfとの混晶化によるPtSiの仕事関数変調, 電子情報通信学会SDM研究会, 電子情報通信学会技術研究報告, 電子情報通信学会, Vol. 107, No. 245, pp. 53-56, Oct. 2007.
• 仲野雄介, 佐藤雅樹, 大見俊一郎. ECRプラズマプロセスによるHfO2系絶縁膜の極薄膜化の検討, 電子情報通信学会SDM研究会, 電子情報通信学会技術研究報告, 電子情報通信学会, Vol. 107, No. 245, pp. 19-22, Oct. 2007.
• 野武幸輝, 須田雄一郎, 大見俊一郎. SBSIプロセスによるSOI/BOX層の均一形成に関する検討, 電子情報通信学会SDM研究会, 電子情報通信学会技術研究報告, 電子情報通信学会, Vol. 107, No. 245, pp. 49-52, Oct. 2007.
• 野武幸輝, 金本啓, 加藤樹理, 大見俊一郎. SBSIプロセスによる極薄SOI/BOX層の均一形成に関する検討, 第68回応用物理学会学術講演会, 第68回応用物理学会学術講演会 講演予稿集, 応用物理学会, No. 2, p. 859, Sept. 2007.
• 仲野雄介, 大見俊一郎. 高誘電率HfOxNy絶縁膜のPDAプロセスの検討, 第68回応用物理学会学術講演会, 第68回応用物理学会学術講演会 講演予稿集, 応用物理学会, No. 2, p. 812, Sept. 2007.

特許など

• 大見俊一郎, 加藤　樹里. 半導体装置の製造方法. 特許. 公開. 国立大学法人東京工業大学, セイコーエプソン株式会社. 2007/11/08. 特願2007-290698. 2008/07/10. 特開2008-160073. 2008.
• 大見俊一郎, 加藤　樹理, 金本　啓. 半導体装置の製造方法. 特許. 登録. 国立大学法人東京工業大学, セイコーエプソン株式会社. 2006/05/31. 特願2006-151441. 2007/12/13. 特開2007-324292. 特許第4854074号. 2011/11/04 2011.

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