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川那子高暢 2011年 研究業績一覧 (6件 / 94件)
論文
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Miyuki Kouda,
Takamasa Kawanago,
Ahmet Parhat,
KENJI NATORI,
takeo hattori,
HIROSHI IWAI.
Interface and electrical properties of Tm2O3 gate dielectrics for gate oxide scaling in MOS devices,
Journal of Vacuum Science and Technology B,
Vol. 29,
No. 6,
pp. 062202-1-4,
Nov. 2011.
国際会議発表 (査読有り)
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Ahmet Parhat,
来山大祐,
金田翼,
鈴木 拓也,
Tomotsune Koyanagi,
Miyuki Kouda,
マイマイティ マイマイティレャアティ,
Takamasa Kawanago,
Kuniyuki KAKUSHIMA,
KAZUO TSUTSUI,
西山彰,
Nobuyuki Sugii,
KENJI NATORI,
takeo hattori,
HIROSHI IWAI.
TiN/W/La2O3 /Si High-k Gate Stack for EOT below o.5nm,
CSTIC2011,
2011.
国際会議発表 (査読なし・不明)
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Takamasa Kawanago,
鈴木 拓也,
Kuniyuki KAKUSHIMA,
Ahmet Parhat,
KAZUO TSUTSUI,
西山彰,
Nobuyuki Sugii,
KENJI NATORI,
takeo hattori,
HIROSHI IWAI.
An effective process for oxygen defect suppression for La-based oxide gate dielectric,
Taiwan-Japan Workshop on “Nano Devices”,
2011.
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Takamasa Kawanago,
Kuniyuki KAKUSHIMA,
Ahmet Parhat,
KAZUO TSUTSUI,
西山彰,
Nobuyuki Sugii,
KENJI NATORI,
takeo hattori,
HIROSHI IWAI.
Metal Inserted Poly-Si Stacks with La2O3 Gate Dielectrics for Scaled EOT and VFB Control by Oxygen Incorporation,
CSTIC2011,
2011.
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Ahmet Parhat,
来山大祐,
金田翼,
鈴木 拓也,
Tomotsune Koyanagi,
Miyuki Kouda,
マイマイティ マイマイティレャアティ,
Takamasa Kawanago,
Kuniyuki KAKUSHIMA,
KAZUO TSUTSUI,
西山彰,
Nobuyuki Sugii,
KENJI NATORI,
takeo hattori,
HIROSHI IWAI.
Effects of Metal Layer Insertion on EOT scaling in TiN/Metal/ La2O3 Si High –k Gate Stacks,
,219th ECS Meeting,
2011.
国内会議発表 (査読なし・不明)
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田中 祐樹,
川那子高暢,
角嶋邦之,
パールハットアヘメト,
筒井一生,
西山彰,
杉井信之,
名取研二,
服部健雄,
岩井洋.
シリコン基板上に堆積したナノカーボン薄膜への高温短時間アニーリングの影響,
第72回応用物理学会学術講演会,
2011.
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