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星井拓也 2009年 研究業績一覧 (5件 / 201件)
論文
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Momoko Deura,
Takuya Hoshii,
Takahisa Yamamoto,
Yuichi Ikuhara,
Mitsuru Takenaka,
Shinichi Takagi,
Yoshiaki Nakano,
Masakazu Sugiyama.
Dislocation-Free InGaAs on Si(111) Using Micro-Channel Selective-Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy,
Applied Physics Express,
Vol. 2,
No. 1,
pp. 011101,
Jan. 2009.
公式リンク
国際会議発表 (査読有り)
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Deura, M.,
Kondo, Y.,
Hoshii, T.,
Takenaka, M.,
Takagi, S.,
Nakano, Y.,
Sugiyama, M.,
Takuya Hoshii.
In Situ monitoring of the initial nucleation for the formation of uniform InGaAs micro-discs on Si,
ECS Transactions,
Vol. 25,
No. 8 PART 1,
pp. 521-524,
2009.
公式リンク
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Takenaka, M.,
Takeda, K.,
Hoshii, T.,
Tanemura, T.,
Sugiyama, M.,
Nakano, Y.,
Takagi, S.,
Takuya Hoshii.
Source/drain formation by using epitaxial regrowth of N+InP for III-V nmosfets,
Conference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials,
pp. 111-114,
2009.
公式リンク
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Deura, M.,
Hoshii, T.,
Takenaka, M.,
Takagi, S.,
Nakano, Y.,
Sugiyama, M.,
Takuya Hoshii.
Uniform InGaAs micro-discs on Si by micro-channel selective-area movpe,
Conference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials,
pp. 48-51,
2009.
公式リンク
国内会議発表 (査読なし・不明)
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出浦 桃子,
近藤 佳幸,
星井 拓也,
竹中 充,
高木 信一,
中野 義昭,
杉山 正和.
微小領域選択MOVPEにおけるSi上InGaAsの原子構造と光学特性解析,
化学工学会 研究発表講演要旨集,
公益社団法人 化学工学会,
Vol. 2009,
No. 0,
pp. 2-2,
2009.
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