論文

• Tomoyuki Miyamoto, Satoru Tanabe, Rei Nishio, Yoshitaka Kobayashi, Ryoichiro Suzuki. InAs quantum dot growth on a thin GaNP buffer layer on GaP by metalorganic chemical vapor deposition, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 51, no. 8, Aug. 2012.

国際会議発表 (査読有り)

• Satoru Tanabe, Ryoichiro Suzuki, Kosuke Nemoto, Rei Nishio, Tomoyuki Miyamoto. InAs QDs grown on GaP buffer layer on Si substrate, The 37th International Symposium on Compound Semiconductors, May 2010.
• Rei Nishio, Satoru Tanabe, Ryoichiro Suzuki, Kosuke Nemoto, Tomoyuki Miyamoto. Reduction of surface roughness of GaP on Si substrate using strained GaInP interlayer by MOCVD, 2010 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, May 2010.
• Ryoichiro Suzuki, Tomoyuki Miyamoto, Tomoyuki Sengoku, Kosuke Nemoto, Satoru Tanabe, Rei Nishio, Fumio Koyama. InAs quantum dots on GaInNAs buffer layer, 36th International Symposium on Compound Semiconductors, pp. 133-134, Aug. 2009.

国内会議発表 (査読有り)

• 田辺 悟, 西尾礼, 鈴木亮一郎, 根本幸祐, 宮本智之. MOCVD 法によるSi 基板上及びGaP 基板上InAs 量子ドットの成長特性, 第29回電子材料シンポジウム (EMS-29), July 2010.
• 西尾礼, 田辺悟, 根本幸祐, 鈴木亮一郎, 宮本智之. MOCVD法によるSi基板上GaP成長における歪GaInP中間層を用いた表面ラフネスの改善, 第29回電子材料シンポジウム, July 2010.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 小林由貴, 古川聖紘, 田辺 悟, 西尾 礼, 宮本智之. MOCVD法によるGaP基板上GaNAsP/Ga(N)P3重量子井戸の成長特性と発光評価, 第71回応用物理学会学術講演会, Aug. 2011.
• 西尾礼, 田辺悟, 小林由貫, 宮本智之. MOCVD法によるGaP基板上GaNAsP/GaP量子井戸の成長と発光特性, 第58回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2011.
• 小林由貴, 田辺悟, 西尾礼, 宮本智之. MOCVD法によるGaP基板上GaAsP 3重量子井戸の成長特性と発光評価, 第58回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2011.
• 田辺悟, 西尾礼, 小林由貴, 宮本智之. GaP基板上へのGaInPバッファ上GaInAs量子ドット成長, 第58回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2011.
• 田辺悟, 西尾礼, 小林由貴, 根本幸祐, 宮本智之. Si基板上へのGaNP層及びInAs系量子ドット成長の検討, 電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE), Nov. 2010.
• 根本幸祐, 鈴木亮一郎, 仙石知行, 田辺悟, 西尾礼, 小山二三夫, 宮本智之. MOCVD 成長GaInNAs バッファ上InAs/GaAs 量子ドットの水素パッシベート効果, 第71回応用物理学会学術講演会, Sept. 2010.
• 田辺悟, 鈴木亮一郎, 根本幸祐, 西尾礼, 宮本智之. Si基板上GaP上へのInAs量子ドット成長, 第57回応用物理学関連連合講演会, Mar. 2010.
• 西尾礼, 田辺悟, 根本幸祐, 鈴木亮一郎, 宮本智之. MOCVD法によるSi基板上GaP成長における歪GaInP中間層を用いた表面ラフネスの改善, 第57回応用物理学関連連合講演会, Mar. 2010.
• 田辺悟, 鈴木亮一郎, 仙石知行, 根本幸祐, 西尾礼, 宮本智之. MOCVD成長によるSi上GaPの表面モフォロジーの成長条件依存性, 第70回応用物理学会学術講演会, Sept. 2009.
• 根本幸祐, 鈴木亮一郎, 仙石知行, 田辺悟, 西尾礼, 小山二三夫, 宮本智之. MOCVD法によるGaInNAsバッファ層上InAs量子ドットの熱アニール特性, 第70回応用物理学会学術講演会, Sept. 2009.

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