論文

• Takamasa Kawanago, Ryosuke Kajikawa, Kazuto Mizutani, Sung-Lin Tsai, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi. Doping-Free Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Inverter Based on N-Type and P-Type Tungsten Diselenide Field-Effect Transistors With Aluminum-Scandium Alloy and Tungsten Oxide for Source/Drain Contact, IEEE Journal of the Electron Devices Society, IEEE, Vol. 11, p. 15-21, Nov. 2022.  公式リンク  
  
• Takamasa KAWANAGO, Takahiro Matsuzaki, Ryosuke Kajikawa, Iriya Muneta, Takuya HOSHII, Kuniyuki Kakushima, Kazuo TSUTSUI, Hitoshi WAKABAYASHI. Experimental demonstration of high-gain CMOS Inverter operation at low Vdd down to 0.5 V consisting of WSe2 n/p FETs, Japanese Journal of Applied Physics (JJAP), Vol. 61, Feb. 2022.

国際会議発表 (査読有り)

• Ryosuke Kajikawa, Takamasa Kawanago, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi. Self-Aligned WOx S/D Contacts to Gate Stacks with TiOx Nucleation Layer by Multiple-Deposition Method in WSe2 pFETs, International Conference on Solid State Devices and Materials, Sept. 2023.
• Takamasa Kawanago, Takahiro Matsuzaki, Ryosuke Kajikawa, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi. Experimental Demonstration of High-Gain CMOS Inverter at Low Vdd Down to 0.5 V Consisting of WSe2 n/p FETs, International Conference on Solid State Devices and Materials, Sept. 2021.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 今井 慎也, 梶川 亮介, 川那子 高暢, 宗田 伊理也, 角嶋 邦之, 辰巳 哲也, 冨谷 茂隆, 筒井 一生, 若林 整. スパッタMoS2膜に対するエッジ金属コンタクトの電流電圧特性, 第84回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2023.
• 梶川 亮介, 川那子 高暢, 宗田 伊理也, 星井 拓也, 角嶋 邦之, 筒井 一生, 若林 整. トップゲートに自己整合したWOx S/Dを用いた30-50 nm膜厚WSe2バックチャネルpFET, 第84回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2023.
• 川那子 高暢, 梶川 亮介, 水谷 一翔, Tsai Sung Lin, 宗田 伊理也, 星井 拓也, 角嶋 邦之, 筒井 一生, 若林 整. アルミニウムスカンジウム合金(AlSc)と酸化タングステン(WOx)をソース/ドレイン電極に用いたWSe2 n/p FETとCMOSインバータ応用, 第83回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2022.

[ BibTeX 形式で保存 ]    [ 論文・著書をCSV形式で保存 ]    [ 特許をCSV形式で保存 ]